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DRAM均價受庫存尚未去化完成影響 跌勢恐將持續至下半年

漁翁先生 ? 2019-04-01 16:35 ? 次閱讀

DRAMeXchange指出,受庫存過高影響,DRAM第一季合約價跌幅持續擴大,整體均價已下跌逾20%。然而價格加速下跌并未刺激需求回溫,預計在庫存尚未去化完成的影響下,DRAM均價跌勢恐將持續至第三季。

根據DRAMeXchange調查,DRAM供應商累積的庫存水位在第一季底已經普遍超過六周 (含wafer bank),而買方的庫存水位雖受到不同產品別的影響略有增減,但平均至少達五周,在服務器以及PC客戶端甚至超過七周。

進入第二季,受惠于1Ynm制程貢獻,供給位元仍持續成長。在極力消化庫存的考量下,DRAM供應商普遍采取持續大幅降價的策略以刺激銷售。與第一季相似,跌幅最大的產品別為PC與服務器內存,跌幅約兩成。而行動式內存受惠于新機潮的拉貨動能跌幅較小,約10~15%,預估DRAM均價在第二季將持續下跌近兩成水位。

至于今年下半年跌幅是否有效收斂,則取決于需求端的回溫以及第二季底庫存去化的成效。DRAMeXchange分析,2019年各產品的DRAM平均搭載容量成長表現將不若去年,因此,終端需求的回溫是DRAM景氣是否落底的關鍵因素。單純就供需預測來看,上半年供過于求的狀況遠高過下半年,預期價格跌幅在今年第三季與第四季可望逐漸收斂。

PC、服務器用DRAM 2Q跌價幅度未見收斂,行動內存跌幅趨緩

觀察DRAM各應用別今年的價格走勢,由于庫存水位較高的關系,自去年第四季以來,以標準型內存與服務器內存的跌幅最為明顯。以PC需求面來說,今年缺乏刺激出貨量成長的因素,再加上Intel CPU缺貨狀況在中低階機種仍未緩解,使得出貨不振的狀況在上半年特別顯著。以主流標準型內存模組8GB解決方案來看,第一季度的價格已經下滑近三成,最低價已落在近40美元。展望第二季,均價持續下探35美元,年底恐怕要挑戰30美元關卡。

服務器在經歷連續兩年的需求高峰后,第一季由于庫存偏高,加上進入傳統OEM的淡季,備貨動能顯著衰退。雖然三月開始,部分北美資料中心業者開始陸續洽單,但整體采購力道仍未明顯復蘇。再者,現階段供需雙方普遍庫存偏高,在既有庫存去化與需求動能恢復前,預估服務器內存價格將持續走跌。DRAMeXchange預估,第二季仍將有兩成左右的跌幅,第三與第四季也會維持接近一成左右的降價空間。

在行動內存方面,第一季受到智能手機市場需求不旺,生產總量較去年同期衰退逾10%的影響,行動內存供應商庫存無法有效去化,導致價格持續下探,discrete以及eMCP產品平均跌幅接近2成,市場報價混亂。

展望第二季以及第三季,除了受惠Android / iPhone雙陣營旗艦新機備料帶動單機搭載容量提升外,也同時受惠傳統市場旺季,整體需求將轉趨熱絡,預估合約價跌幅將較第一季收斂,不過考慮到今年智能手機總生產數量將呈現負成長,中、低階手機平均搭載容量成長有限,第二、三季的合約價格依舊難以止跌。

而就利基型存儲器價格走勢來看,農歷假期過后,中國有部分機上盒、網通標案訂單出現帶動小量拉貨需求,然一次性標案結束后,整體需求仍然疲軟。DDR3供給仍高于需求的情況下,預期今年第二季與三季利基型存儲器價格仍將分別走跌15%與10%。

來源:DRAMeXchange

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ADSP-BF518F16 集成16 MB FLASH存儲器并支持IEEE-1588的BLACKFIN嵌入式處理器

LTC3676 面向應用處理器的電源管理解決方案

和特點 4 通道 I2C 可調高效率降壓型 DC/DC 轉換器:2.5A、2.5A、1.5A、1.5A3 個 300mA LDO 穩壓器 (有 2 個是可調的)具有 VTT 和 VTTR 基準的 DDR 電源解決方案具有系統復位功能的按鈕 ON / OFF 控制獨立的使能引腳搭接或 I2C 排序可編程自主型斷電控制動態電壓調節電源良好和復位功能可選的 2.25MHz 或 1.12MHz 開關頻率始終保持運行的 25mA LDO 穩壓器12μA 待機電流扁平 40 引線 6mm x 6mm QFN 和 48 引線裸露焊盤 LQFP 封裝 產品詳情 LTC?3676 是一款完整的電源管理解決方案,適合基于高級便攜式應用處理器的系統。該器件包含 4 個用于內核、存儲器、I/O 和片上系統 (SoC) 電源軌的同步降壓型 DC/DC 轉換器,以及 3 個用于低噪聲模擬電源的 300mA LDO 穩壓器。LTC3676-1 具有一個專為支持 DDR 終端和一個 VTTR 基準輸出而配置的 ±1.5A 降壓型穩壓器。一個 I2C 串行端口用于控制穩壓器使能、斷電排序、輸出電壓電平、動態電壓調節、操作模式和狀態報告。穩壓器啟動的排序操作通過按期望的次序將其輸出連接至使能引腳或通過 I2C 端口來完成。系統上電、斷電和復位功能受控于按鈕接口、...
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LTC3676 面向應用處理器的電源管理解決方案

LTC3612 3A、4MHz、單片式同步降壓型 DC/DC 轉換器

和特點 3A 輸出電流 2.25V 至 5.5V 輸入電壓范圍 低輸出紋波突發模式 (Burst Mode?) 操作:IQ = 70μA ±1% 輸出電壓準確度 輸出電壓低至 0.6V 高效率:達 95%低壓差操作:100% 占空比停機電流:≤1μA可調開關頻率:高達 4MHz可任選的有源電壓定位 (AVP) 和內部補償可選的脈沖跳躍 / 強制連續 / 具可調突發箝位的突發模式操作可編程軟起動用于啟動跟蹤或外部基準的輸入DDR 存儲模式,IOUT = ±1.5A采用耐熱性能增強型 20 引腳 (3mm x 4mm) QFN 和 TSSOP 封裝 產品詳情 LTC?3612 是一款低靜態電流、單片式、同步降壓型穩壓器,采用一種電流模式、恒定頻率架構。睡眠模式中的無負載 DC 電源電流僅為 70μA,并在無負載條件下保持了輸出電壓 (突發模式操作),在停機模式中電流降至零。2.25V 至 5.5V 的輸入電源電壓范圍使 LTC3612 非常適合于單節鋰離子電池和固定低電壓輸入應用。100% 占空比能力可提供低壓差操作,從而延長了電池供電型系統中的工作時間。該器件的工作頻率可在外部設置至高達 4MHz,因而允許使用小的表面貼裝型電感器。對于那些對開關噪聲敏感的應用,可以使 LTC3612 同步至一個頻率高達 4MHz 的外部時...
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LTC3612 3A、4MHz、單片式同步降壓型 DC/DC 轉換器

LTC3616 6A、4MHz、單片式同步降壓型 DC/DC 轉換器

和特點 6A 輸出電流 2.25V 至 5.5V 輸入電壓范圍 低輸出紋波突發模式 (Burst Mode?) 操作:IQ = 75μA ±1% 輸出電壓準確度 輸出電壓低至 0.6V 高效率:達 95% 低壓差操作:100% 占空比 SW 節點上的可編程轉換速率降低了噪聲和 EMI 可調開關頻率:高達 4MHz 可任選的有源電壓定位 (AVP) 和內部補償 可選的脈沖跳躍 / 強制連續 / 具可調突發箝位的突發模式操作 可編程軟起動 用于啟動跟蹤或外部基準的輸入 DDR 存儲模式,IOUT = ±3A 采用耐熱性能增強型 24 引腳 3mm x 5mm QFN 封裝 產品詳情 LTC?3616 是一款低靜態電流、單片式、同步降壓型穩壓器,采用一種電流模式、恒定頻率架構。睡眠模式中的無負載 DC 電源電流僅為 70μA,并在無負載條件下保持了輸出電壓 (突發模式操作),在停機模式中降至零電流。2.25V 至 5.5V 的輸入電源電壓范圍使 LTC3616 非常適合于單節鋰離子電池和固定低電壓輸入應用。100% 占空比能力可提供低壓差操作,從而延長了電池供電型系統中的工作時間。 該器件的工作頻率可在外部設置至高達 4MHz,因而允許使用小的表面貼裝型電感器。對于那些對開關噪聲敏感的應用,可以使 LTC3616 同步至...
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LTC3616 6A、4MHz、單片式同步降壓型 DC/DC 轉換器

LTC3614 4A、4MHz、單片式同步降壓型 DC/DC 轉換器

和特點 4A 輸出電流 2.25V 至 5.5V 輸入電壓范圍 低輸出紋波突發模式 (Burst Mode?) 操作:IQ = 75μA ±1% 輸出電壓準確度 輸出電壓低至 0.6V 高效率:達 95%低壓差操作:100% 占空比SW 節點上的可編程轉換速率降低了噪聲和 EMI可調開關頻率:高達 4MHz可任選的有源電壓定位 (AVP) 和內部補償可選的脈沖跳躍 / 強制連續 / 具可調突發箝位的突發模式操作可編程軟起動用于啟動跟蹤或外部基準的輸入DDR 存儲模式,IOUT = ±3A采用耐熱性能增強型 24 引腳 3mm x 5mm QFN 封裝 產品詳情 LTC?3614 是一款低靜態電流、單片式、同步降壓型穩壓器,采用一種電流模式、恒定頻率架構。睡眠模式中的無負載 DC 電源電流僅為 75μA,并在無負載條件下保持了輸出電壓 (突發模式操作),在停機模式中降至零電流。2.25V 至 5.5V 的輸入電源電壓范圍使 LTC3614 非常適合于單節鋰離子電池和固定低電壓輸入應用。100% 占空比能力可提供低壓差操作,從而延長了電池供電型系統中的工作時間。 該器件的工作頻率可在外部設置至高達 4MHz,因而允許使用小的表面貼裝型電感器。對于那些對開關噪聲敏感的應用,可以使 LTC3614 同步至一個頻率高達 4M...
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LTC3614 4A、4MHz、單片式同步降壓型 DC/DC 轉換器

LTC3617 用于 DDR 終端的 ±6A、單片式、同步降壓型穩壓器

和特點 ±6A 輸出電流 2.25V 至 5.5V 輸入電壓范圍 ±10mV 輸出電壓準確度 專為低至 0.5V 的低輸出電壓而優化 高效率 用于 VTTR = VDDQIN ? 0.5 的集成型緩沖器 停機電流:<1μA 可調開關頻率:高達 4MHz 任選的內部補償 內部軟起動 電源良好狀態輸出 輸入過壓保護 耐熱性能增強型 24 引腳 3mm x 5mm QFN 封裝 產品詳情 LTC?3617 是一款高效率、單片式、同步降壓型穩壓器,采用一種電流模式、恒定頻率架構。該器件的工作輸入電壓范圍為 2.25V 至 5.5V,并提供了一個等于 0.5 ? VDDQIN 的穩定輸出電壓,同時可供應和吸收高達 6A 的負載電流。內部放大器可提供一個等于 0.5·VDDQIN 的 VTTR 輸出電壓,并具有 ±10mA 的輸出電流能力。此 IC 的工作頻率可在外部設置至高達 4MHz,因而允許使用小的表面貼裝型電感器。對于那些對開關噪聲敏感的應用,可以使 LTC3617 同步至一個頻率高達 4MHz 的外部時鐘。LTC3617 中的強制連續模式操作可降低噪聲及 RF 干擾。可調的外部補償使得能夠在一個很寬的負載和輸出電容范圍內優化瞬態響應。內部同步開關提升了效率,并免除了增設一個外部箝位二極管的需要,從而最大...
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LTC3617 用于 DDR 終端的 ±6A、單片式、同步降壓型穩壓器

LTC3615 雙通道、4MHz、3A、同步降壓型 DC/DC 轉換器

和特點 高效率:達 94% 具 2 x 3A 輸出電流能力的雙路輸出 低輸出紋波突發模式 (Burst Mode?) 操作:IQ = 130μA 2.25V 至 5.5V 輸入電壓范圍 ±1% 輸出電壓準確度 輸出電壓低至 0.6V 開關引腳上的可編程轉換速率 低壓差操作:100% 占空比 停機電流:≤1μA 可調開關頻率:高達 4MHz 內部或外部補償 可選的脈沖跳躍 / 強制連續 / 具可調突發箝位的突發模式操作 可任選的有源電壓定位 (AVP) 和內部補償 通道之間的 0° / 90° / 180° (LTC3615) 或 140° / 180° 可選相移 固定內部和可編程外部軟起動 準確的啟動跟蹤能力 DDR 存儲模式的 IOUT = ±1.5A 采用 4mm x 4mm QFN-24 封裝和 TSSOP-24 封裝 ? 產品詳情 LTC?3615 / LTC3615-1 是一款雙通道、3A、同步降壓型穩壓器,采用一種電流模式、恒定頻率架構。DC 電源電流僅為 130μA (在無負載時執行突發模式操作),并保持了輸出電壓,在停機模式中降至零電流。2.25V 至 5.5V 的輸入電源范圍使器件非常適合于單節鋰離子電池應用。100% 占空比能力可提供低壓差操作,從而延長了電池供電式系統中的工作時間。 該器件的工作頻率可在外部設置至高達 4MHz...
發表于 02-22 14:23 ? 0次 閱讀
LTC3615 雙通道、4MHz、3A、同步降壓型 DC/DC 轉換器

LTM4632 用于 DDR-QDR4 存儲器的超薄、三路輸出、降壓型 μModule 穩壓器

和特點 包括 VDDQ、VTT、VTTR (或 VREF) 的完整 DDR-QDR4 SRAM 電源解決方案占板面積為 0.5cm2 (雙面 PCB) 的解決方案寬輸入電壓范圍:3.6V 至 15V3.3V 輸入可兼容連接至 INTVCC 的 VIN0.6V 至 2.5V 輸出電壓范圍雙路 ±3A DC 輸出電流 (具有提供和吸收能力)±1.5%、±10mA 緩沖 VTTR = VDDQ/2 輸出3A VDDQ + 3A VTT 或雙相單路 6A VTT在整個負載、電壓和溫度范圍內具有 ±1.5% 的最大總輸出電壓調節誤差電流模式控制,快速瞬態響應外部頻率同步多相可并聯和均流可選的突發模式 (Burst Mode?) 操作過壓輸入和過熱保護電源良好指示器超薄型 6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封裝和超薄型 6.25mm x 6.25mm x 2.42mm BGA 封裝 產品詳情 LTM?4632 是一款超薄的三路輸出降壓型 μModule? (電源模塊) 穩壓器,可提供用于 DDR-QDR4 SRAM 的完整電源解決方案。LTM4632 可在一個 3.6V 至 15V 的輸入電壓范圍內運作,支持兩個用于 VDDQ 和 VTT 的 ±3A 輸出電源軌 (兩者均可吸收和提供電流) 和一個 10mA 低噪聲基準 VTTR 輸出。VTT 和 VTTR 皆跟蹤并等于 VD...
發表于 02-22 14:14 ? 14次 閱讀
LTM4632 用于 DDR-QDR4 存儲器的超薄、三路輸出、降壓型 μModule 穩壓器

LTC3876 用于 DDR 電源的雙通道 DC/DC 控制器具有差分 VDDQ 檢測功能和 ±50mA VTT 基準

和特點 具 VTT 基準的完整 DDR 電源解決方案 寬 VIN 范圍:4.5V 至 38V,VDDQ:1V 至 2.5V ±0.67% VDDQ 輸出電壓準確度 VDDQ 和 VTT 終端控制器 ±1.2% ±50mA 線性 VTTR 基準輸出 受控導通時間、谷值電流模式控制 頻率可編程范圍:200kHz 至 2MHz 可同步至外部時鐘 tON(MIN) = 30ns,tOFF(MIN) = 90ns RSENSE 或電感器 DCR 電流檢測 電源良好輸出電壓監視器 過壓保護和電流限值折返 耐熱性能增強型 38 引腳 (5mm x 7mm) QFN 封裝和 TSSOP 封裝產品詳情 LTC?3876 是一款完整的 DDR 電源解決方案,可兼容 DDR1、DDR2、DDR3 及未來的較低電壓 DDRX標準。LTC3876 包括 VDDQ 和 VTT DC/DC 控制器和一個高精度線性 VTT 基準。一個差分輸出檢測放大器與高精度的內部基準相組合,可提供一個準確的 VDDQ 電源。VTT 控制器負責跟蹤高精度的 VTTR 線性基準,并具有 <20mV 的總 DC 誤差。對于一個 ±50mA 基準負載,當跟蹤二分之一 VDDQ 時,高精度的 VTTR 基準可在整個溫度范圍內保持 1.2% 的調節準確度。LTC3876 允許在 4.5V 至 38V (最大...
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LTC3876 用于 DDR 電源的雙通道 DC/DC 控制器具有差分 VDDQ 檢測功能和 ±50mA VTT 基準

LTC3831-1 用于 DDR 存儲器終端的高功率同步開關穩壓控制器

和特點 VOUT低至 0.4V 用于 DDR 存儲器終端的高功率開關穩壓控制器 VOUT跟蹤 1/2 of VIN或外部VREF 無需電流檢測電阻器 低 VCC 電源:3V 至 8V 在整個溫度范圍內的最大占空比 >91% 驅動全 N 溝道外部 MOSFET 高效率:達 95% 可編程固定頻率操作:100kHz 至 500kHz 外部時鐘同步操作 可編程軟啟動 低停機電流:<10μA 過熱保護 采用 16 引腳窄體 SSOP 封裝? ? ? 產品詳情 LTC?3831-1 是一款專為 DDR 存儲器終端而設計的高功率、高效率開關穩壓控制器。LTC3831-1 可產生一個等于 1/2 外部電源或基準電壓的輸出電壓。LTC3831-1 采用同步開關架構和 N 溝道 MOSFET。此外,該芯片還可通過上端 N 溝道 FET 的漏-源極電阻來檢測輸出電流,因而能夠在無需使用電流檢測電阻器的情況下提供一個可調電流限值。 LTC3831-1 可在輸入電源電壓低至 3V 的條件下運作,并具有一個 >91% 的最大占空比。該器件包括一個固定頻率 PWM 振蕩器,用于實現低輸出紋波操作。300kHz 的自由運行時鐘頻率可從外部進行調節,或利用一個外部信號進行同步處理 (同步范圍為 100kHz 至高于 500kHz)。在停機模式...
發表于 02-22 14:11 ? 0次 閱讀
LTC3831-1 用于 DDR 存儲器終端的高功率同步開關穩壓控制器

LTC3717 用于 DDR/QDR 存儲器終端的寬工作范圍、No RSENSE 降壓型控制器

和特點 VOUT = 1/2 VIN (電源分離器) 可調和對稱的吸收 / 供應電流限值 (高達 20A) ±0.65% 輸出電壓準確度 效率高達 97% 無需檢測電阻器 超快的瞬態響應 真正的電流模式控制 2% 至 90% 的占空比 (在 200kHz) tON(MIN) ≤ 100ns 可在采用陶瓷輸出電容器 COUT 時保持穩定 雙路 N 溝道 MOSFET 同步驅動 電源良好輸出電壓監視器 寬 VCC 范圍:4V 至 36V 高達 1.5MHz 的可調開關頻率 輸出過壓保護 任選的短路停機定時器 采用 16 引腳窄體 SSOP 封裝 產品詳情 LTC?3717 是一款用于雙倍數據速率 (DDR) 和四倍數據速率 (QDR) 存儲器終端的同步降壓型開關穩壓控制器。該控制器采用一種谷值電流控制架構以提供非常低的占空比,并不需要使用一個檢測電阻器。工作頻率利用一個外部電阻器來選擇,并針對 VIN 的變化進行補償。強制連續操作可降低噪聲及 RF 干擾。輸出電壓在內部設定為 VREF 的一半,這可由用戶設置。故障保護由一個輸出過壓比較器和任選的短路停機定時器提供。針對電源排序的軟啟動能力采用一個外部定時電容器來實現。穩壓器電流限制水平是對稱的并可由用戶設置。寬電源范圍允許器件在 4V 至 36V 的 VCC...
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LTC3717 用于 DDR/QDR 存儲器終端的寬工作范圍、No RSENSE 降壓型控制器

LTC3831 用于 DDR 存儲器終端的高功率同步開關穩壓控制器

和特點 用于 DDR 存儲器終端的高功率開關穩壓控制器 VOUT 跟蹤 1/2 VIN 或外部 VREF 無需電流檢測電阻器 低輸入電源電壓范圍:3V 至 8V 在整個溫度范圍內的最大占空比 >91% 驅動全 N 溝道外部 MOSFET 高效率:可達 95% 以上 可設置固定頻率操作:100kHz 至 500kHz 外部時鐘同步操作 可設置軟起動 低停機電流:<10μA 過熱保護 采用 16 引腳窄體 SSOP 封裝? 產品詳情 LTC?3831 是一款專為 DDR 存儲器終端而設計的高功率、高效率開關穩壓控制器。LTC3831 可產生一個等于 1/2 外部電源或基準電壓的輸出電壓。LTC3831 采用同步開關架構和 N 溝道 MOSFET。此外,該芯片還可通過上端 N 溝道 FET 的漏-源極電阻來檢測輸出電流,因而能夠在無需使用電流檢測電阻器的情況下提供一個可調電流限值。 LTC3831 可在輸入電源電壓低至 3V 的條件下運作,并具有一個 >91% 的最大占空比。它包括一個固定頻率 PWM 振蕩器,用于實現低輸出紋波操作。200kHz 的自由運行時鐘頻率可從外部進行調節,或利用一個外部信號進行同步處理(同步范圍為 100kHz 至 500kHz 以上)。在停機模式中,LTC3831 的電...
發表于 02-22 14:10 ? 0次 閱讀
LTC3831 用于 DDR 存儲器終端的高功率同步開關穩壓控制器

LTC3776 用于 DDR/QDR 存儲器終端的雙輸出、兩相、No RSENSE? 同步控制器

和特點 無需電流檢測電阻器 異相控制器減小了所需的輸入電容 VOUT2 跟蹤 1/2 VREF 對稱的輸出電流供應/吸收能力 (VOUT2) 擴頻操作 (當被使能時) 寬 VIN 范圍:2.75V 至 9.8V 恒定頻率電流模式操作 0.6V±1.5% 電壓基準 (VOUT1) 低壓差操作:100% 占空比 用于頻率鎖定或調節的真正 PLL 內部軟起動電路 電源良好輸出電壓監視器 輸出過壓保護 微功率停機模式:IQ = 9μA 纖巧型扁平(4mm x 4mm)QFN 封裝和窄體 SSOP 封裝 產品詳情 LTC?3776 是一款面向 DDR/QDR 存儲器終端應用的兩相、雙輸出同步降壓型開關穩壓控制器。第二個控制器負責將其輸出電壓調節至 1/2 VREF,并提供了對稱的輸出電壓供應和吸收能力。 無檢測電阻器 (No RSENSE) 型恒定頻率電流模式架構免除了增設檢測電阻器的需要,并改善了效率。通過使兩個控制器異相工作,最大限度地降低了由輸入電容的 ESR 所引起的功耗和噪聲。 開關頻率可被設置為高達 750kHz,因而允許使用小的表面貼裝型電感器和電容器。對于那些對噪聲敏感的應用,可以從外部對 LTC3776 的開關頻率進行同步處理 (同步范圍為 250kHz 至 850kHz),也可啟用...
發表于 02-22 14:10 ? 22次 閱讀
LTC3776 用于 DDR/QDR 存儲器終端的雙輸出、兩相、No RSENSE? 同步控制器

LTC3718 用于 DDR/QDR 存儲器終端的低輸入電壓 DC/DC 控制器

和特點 非常低的 VIN(MIN):1.5V 超快的瞬態響應 真正的電流模式控制 用于 N 溝道 MOSFET 的 5V 驅動免除了 5V 輔助電源 無需檢測電阻器 采用標準的 5V 邏輯電平 N 溝道 MOSFET VOUT(MIN):0.4V VOUT 跟蹤 1/2 VIN 或外部 VREF 對稱的供應和吸收輸出電流限制 可調的開關頻率 tON(MIN) < 100ns 電源良好輸出電壓監視器 可編程軟啟動 輸出過壓保護 任選的短路停機定時器 小外形 24 引腳 SSOP 封裝 產品詳情 LTC?3718 是一款用于 DDR 和 QDR? 存儲器終端的高電流、高效率同步開關穩壓控制器。該器件采用一個低至 1.5V 的輸入工作,并提供一個等于 (0.5)VIN 的穩定輸出電壓。該控制器采用一種谷值電流控制架構以實現高工作頻率和非常低的接通時間,而無需使用一個檢測電阻器。工作頻率利用一個外部電阻器來選擇,并針對 VIN 及 VOUT 中的變化進行補償。LTC3718 采用一對標準的 5V 邏輯電平 N 溝道外部 MOSFET,從而免除了增設昂貴 P 溝道或低門限器件的需要。強制連續操作可降低噪聲及 RF 干擾。故障保護由內部折返電流限制、一個輸出過壓比較器和任選的短路停機定時器提供。針...
發表于 02-22 14:10 ? 15次 閱讀
LTC3718 用于 DDR/QDR 存儲器終端的低輸入電壓 DC/DC 控制器

LTC3717-1 用于 DDR/QDR 存儲器終端的寬工作范圍、No RSENSE? 降壓型控制器

和特點 VOUT = 1/2 VREF 可調和對稱的吸收 / 供應電流限值 (高達 20A) 真正的電流模式控制,可選擇使用檢測電阻器 VON 和 ION 引腳在輸入和輸出電壓變化期間允許執行恒定頻率操作 ±0.65% 輸出電壓準確度 效率高達 97% 超快的瞬態響應 2% 至 90% 的占空比 (在 200kHz) tON(MIN) ≤ 100ns 可在采用陶瓷輸出電容器 COUT 時保持穩定 電源良好輸出電壓監視器 寬 VIN 范圍:4V 至 36V 高達 1.5MHz 的可調開關頻率 輸出過壓保護 任選的短路停機定時器 采用 5mm x 5mm QFN 封裝 產品詳情 LTC?3717-1 是一款用于雙倍數據速率 (DDR) 和四倍數據速率 (QDR) 存儲器終端的同步降壓型開關穩壓控制器。該控制器采用一種谷值電流控制架構,以在采用和未采用檢測電阻器的情況下提供非常低的占空比。工作頻率利用一個外部電阻器來選擇,并針對 VIN 和 VOUT 中的變化進行補償。強制連續操作可降低噪聲及 RF 干擾。輸出電壓在內部被設定為 VREF 的一半,這可由用戶設置。故障保護由一個輸出過壓比較器和任選的短路停機定時器提供。針對電源排序的軟啟動能力采用一個外部定時電容器來實現。穩壓器電流限制水平是對稱的,并可由用戶...
發表于 02-22 14:09 ? 14次 閱讀
LTC3717-1 用于 DDR/QDR 存儲器終端的寬工作范圍、No RSENSE? 降壓型控制器

LTC1262 12V、30mA 閃速存儲器編程電源

和特點 穩定的 12V ±5% 輸出電壓無電感器電源電壓范圍:4.75V 至 5.5V有保證的 30mA 輸出低功率:ICC = 500μA停機模式中的 ICC:0.5μA8 引腳 PDIP 封裝或 SO-8 封裝 產品詳情 LTC?1262 是一款穩定的 12V、30mA 輸出 DC/DC 轉換器。該器件專為提供對字節寬閃速存儲器進行編程所必需的 12V ±5% 輸出而設計。輸出將從低至 4.75V 的輸入電壓提供高達 30mA 電流,并未采用任何電感器。只需 4 個外部電容器即可構成一款尺寸極小的完整表面貼裝型電路。TTL 兼容型停機引腳可以直接連接至一個微處理器,并把電源電流減小至低于 0.5μA。LTC1262 提供了改善的停機電流性能,且所需的外部組件少于同類競爭解決方案。LTC1262 采用 8 引腳 PDIP 封裝或 SO-8 封裝。應用12V 閃速存儲器編程電源緊湊型 12V 運放電源電池供電型系統 方框圖...
發表于 02-22 13:42 ? 0次 閱讀
LTC1262 12V、30mA 閃速存儲器編程電源

LTC1263 12V、60mA 閃速存儲器編程電源

和特點 有保證的 60mA 輸出穩定的 12V ±5% 輸出電壓無電感器電源電壓范圍:4.75V 至 5.5V停機模式中的 ICC 為 0.5μA (典型值)低功率:ICC = 300μA8 引腳 SO 封裝引出腳配置與 LTC1262 和 MAX662 相同 產品詳情 LTC?1263 是一款穩定的 12V、60mA 輸出 DC/DC 轉換器。該器件可提供對雙字節寬閃速存儲器進行編程所必需的 12V ±5% 輸出。輸出將從低至 4.75V 的輸入電壓提供 60mA 電流,并未采用任何電感器。只需 4 個外部電容器即可構成一款尺寸極小的完整表面貼裝型電路。輸出可以短促地短接至地,并不會損壞器件。高電平有效的 TTL 兼容型停機引腳可以直接連接至一個微處理器。在停機模式中,電源電流通常降至 0.5μA。?LTC1263 采用 8 引腳 SO 封裝。應用 12V 閃速存儲器編程電源 緊湊型 12V 運放電源 電池供電型系統方框圖...
發表于 02-22 13:42 ? 0次 閱讀
LTC1263 12V、60mA 閃速存儲器編程電源

LTC3634 用于 DDR 電源的 15V、雙通道、3A、單片式、降壓型穩壓器

和特點 3.6V 至15V 輸入電壓范圍每通道的輸出電流為±3A效率高達 95%通道之間的 90°/180° 可選相移可調開關頻率范圍:500kHz 至 4MHzVTTR = VDDQ / 2 = VTT基準準確度為 ±1.6% 的 VTTR (在 0.75V)最佳 VOUT范圍:0.6V 至 3V±10mA 緩沖輸出負責提供 VREF 基準電壓旨在實現超卓的電壓和負載瞬態響應的電流模式操作外部時鐘同步短路保護輸入過壓和過熱保護電源良好狀態輸出采用 (4mm x 5mm) QFN-28 封裝和耐熱性能增強型 28 引腳 TSSOP 封裝 產品詳情 LTC?3634?是一款高效率、雙通道、單片式、同步降壓型穩壓器,可為?DDR1、DDR2?和?DDR3 SDRAM?控制器提供電源及總線終端電壓軌。該器件的工作輸入電壓范圍為?3.6V?至?15V,從而使其適合于那些采用一個?5V?或?12V?輸入的負載點電源應用以及各種電池供電型系統。VTT?穩定輸出電壓等于?VDDQIN ? 0.5。一個能驅動?10mA?負載的片內緩沖器可提供一個也等于?VDDQIN ? 0.5?的低噪聲基準輸出?(VTTR)。此?IC?的工作頻率可利用一個外部電阻器在?500kHz?至?4MHz 的范圍內進行設置和同步處理。兩個通道能夠?180°...
發表于 02-22 12:18 ? 31次 閱讀
LTC3634 用于 DDR 電源的 15V、雙通道、3A、單片式、降壓型穩壓器

LTC3618 用于 DDR 終端的雙通道、4MHz、±3A、同步降壓型穩壓器

和特點 DDR 電源、終端和基準高效率:達 94% 具 ±3A 輸出電流能力的雙通道輸出 2.25V 至 5.5V 輸入電壓范圍 ±1% 輸出電壓準確度 VTT 輸出電壓低至 0.5V 停機電流:≤1μA VTTR = VDDQIN/2,VFB2 = VTTR 可調開關頻率:高達 4MHz 內部補償或外部補償 通道之間的 0° / 90° / 180° 可選相移 內部或外部軟起動用于 VDDQ,內部軟起動用于 VTT 電源良好狀態輸出 扁平 4mm x 4mm QFN-24 封裝和 TSSOP-24 封裝產品詳情 LTC?3618 是一款雙通道、同步降壓型穩壓器,采用一種電流模式、恒定頻率架構。該器件提供了一款完整的 DDR 解決方案,具有一個 2.25V 至 5.5V 的輸入電壓范圍。第一個降壓型穩壓器的輸出提供了一個高準確度的 VDDQ 電源。一個緩沖基準可產生等于 50% VDDQIN 的 VTTR,并驅動高達 ±10mA 的負載。第二個穩壓器可產生等于 VTTR 的 DDR 終端電壓 (VTT)。在 1MHz 開關頻率下,兩個穩壓器均能夠提供 ±3A 的負載電流。此 IC 的工作頻率可在外部設置至高達 4MHz,因而允許使用小的表面貼裝型電感器。在兩個通道之間可以選擇 0°、90°或 180°的相移,以最大限度地減小輸...
發表于 02-22 12:05 ? 27次 閱讀
LTC3618 用于 DDR 終端的雙通道、4MHz、±3A、同步降壓型穩壓器
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