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2020年半導體市場展望:全球穩步復蘇,中國成長率優于全球

墨記 ? 2019-10-17 10:42 ? 次閱讀

根據CINNO Research 產業研究對半導體供應鏈的調查指出,2019年第三季與第四季全球半導體景氣走出谷底陰霾,從去年第三季起半導體產業鏈庫存水位偏高、終端需求疲軟以及產能利用率松動的情形,經過三個季度以來的產業調整逐漸從谷底走出,目前供應鏈庫存水位已降至正常水平,8吋晶圓與12吋晶圓的產能利用率也從今年第一季較為松動的情況逐季提升,加上下半年智能型手機需求較上半年表現較佳,其中蘋果iPhone11系列反應熱烈,追加訂單的效應讓第三季與第四季的半導體市場較為樂觀,但由于今年上半年銷售額滑落過多的情況,預期2019年全球半導體市場將較2018年同比減少13%。?

展望2020年全球半導體市場,我們認為主要半導體需求的驅動力將是以智能型手機相關、5G基礎建設、AI人工智能等三大板塊驅動。需求變動的最大不確定性將在于總體經濟因素與中美貿易戰后續變化,這部分相對較難預測。而在生產端上,因為外部環境的不確定性因素升高,明年各半導體業者對于產能擴充以及廠房投資的態勢相對保守,邏輯芯片存儲器業者的資本支出都得到較為審慎的節制,資本支出將多數用于納米工藝的制程提升方面,因此我們認為在大環境穩定的情況之下,2020年全球半導體市場將較2019年增加約5%。?

芯片設計: 5G題材、AI人工智能和智能型手機相關成為IC設計業者下一波兵家必爭之地?

過去幾年半導體的運營成長動能主要仰賴智能型手機項目,無論是在體量的增加或是手機硬件規格的創新往往帶動芯片產品的效能與數量也有所提升雖然2019年全球智能型手機出貨量較2018衰退4%,但2020預期在5G替換潮逐步發酵以及經濟情況回穩的情況下將落底反彈約3%,因此,智能型手機AP、存儲器、傳感器、驅動芯片、CMOS Sensor、面板驅動/觸控芯片等相關芯片運營動能將開始回穩,而階段5G題材落實在智能型手機上面將讓搭載AI功能的手機AP、基帶和5G射頻前段模塊(包含射頻芯片、濾波器、PA模塊、天線和天線協調器等)成長力道開始增加,而與供應鏈的訪談得知2020年5G智能型手機滲透率有望突破10%,約1.4億只的規模。?

另外一方面5G基站的建設落實在全球主要市場如中國與美國大城市上,5G基站目前所帶來的技術無論是Sub 6GHz或是毫米波技術,所需要的功率半導體元氣件(特別是氮化鎵)、電源管理芯片、濾波器和天線的數量將較過去4G基站來的更多,功能與效能的要求也更多,因此5G基站的基礎建設快速布建將有助于半導體產業的發展與提升。?

而人工智能方面除了應用在智能型手機上邊緣運算外,主要功能機器推理與機器學習等主要應用在服務器和云平臺上,這部分AI芯片包含了傳統熟知的GPU外,也包含了FGPA以及客制化芯片ASIC,推動服務器和數據中心巨頭如華為、阿里巴巴、谷歌、亞馬遜和臉書等也推出專屬于自家云端服務應用的AI芯片加速器和算法來落實AI的服務上,此舉不僅是增加了AI芯片的用量,同樣也帶動周邊的芯片如服務器CPU、服務器遠程管理芯片等產品成長動能。?

芯片制造:14納米以下先進工藝競賽進入新局面,8吋晶圓產能利用率持續回溫?

從芯片制造的角度來看,由于14納米工藝以下的先進制程投資額龐大,客戶集中程度高以及產品開發困難度陡增的影響,IDM和晶圓代工業者因應自身的競爭策略分成兩個集團,無論是自身策略使然或是政策協助下持續加碼投資先進制程的公司如臺積電、三星、中芯國際、武漢宏芯和上海華力微,此集團全力發展14納米以下(包含14納米)先進制程如FinFet和EUV等,目標瞄準追求極致芯片大小以及高速運算的芯片;另外一方面聯電、格芯、世界先進和華虹宏力等業者則是考慮到自身集團資源以及先進制程的投資報酬率,專注在8吋晶圓廠的運營和12吋晶圓成熟工藝(28納米以上),除了8吋晶圓用于物聯網、電源管理、分利器件、仿真器件等產品是最有運營效率,需求相對穩定,12吋晶圓成熟工藝同樣需求變化波動不大,產能利用率普遍較容易維持,因此對于代工業者的自由現金流以及財務結構來說較有保障。?

未來8吋與12吋新產能的增加主要增加在大中華區市場,歐美區與日本的晶圓制造業者逐漸朝向轉型走向更利基的市場或是資產重組以及企業并購,格芯就是最好的例子,在2022年IPO上市的前提之下,格芯不斷的出售資產以強化財務結構,除了新加坡八吋晶圓廠賣給世界先進外、美國12吋晶圓廠廠出售給安森美半導體,目前原本在四川成都的12吋晶圓廠也傳出未來將由以色列公司高塔半導體(TowerJazz)接盤,而日本富士通半導體公司也將原先與聯電合資的三重富士通半導體全部股權賣回給聯電也是一個案例。?

芯片封裝測試: 先進封裝制程成為下一個封測廠競逐的焦點?

封裝測試廠在今年上半年面臨到產能利用率不佳以及封測價格殺價競爭的雙重壓力影響,運營績效普遍不佳,進入下半年受惠于5G天線前端模塊、系統集封裝(System-In-Chip)和晶圓級封裝(WLCSP)的業務量提升,全球前十大半導體封測業者的業績從第二季起便觸底反彈,而目前封裝測試廠正處于新時代封裝技術與舊時代封裝技術并陳的時刻,一方面舊時代的封裝測試技術(例如傳統封裝打線)依舊在公司業績占有一定的分額外,目前主流先進封裝技術(如Bumping, WLCSP, Flip-Chip等)營收比重也不斷攀升,而隨著半導體先進制程技術的演進,以及智能型手機、物聯網等更多輕薄裝置對于芯片的尺寸和效能要求也不斷增加,扇出型封裝(Fan-Out)、3D IC TSV等逐漸興起,也讓晶圓代工廠跨足以強化產業垂直整合,最好的例子就是蘋果iPhone AP處理器的扇出型封裝便是臺積電一手包辦,無須透過封測廠來完成,此項扇出型封裝商業模式的改變也讓晶圓代工廠和半導體封測廠對于先進封裝制程的競爭與合作成為下一個產業關注焦點,而根據我們的了解,臺積電在先進封裝制程的營業額在2018年已經達到25億美元之譜,預計2019年將成長雙位數達到35億以上的規模。?

存儲器市場展望: 2020年內存與閃存市場回溫成定局,跌價壓力進一步舒緩?

2019年存儲產業在經過價格大幅滑落和產業嚴重供過于求,領導廠商如三星、海力士、美光、鎧俠(員東芝內存)營收與利潤衰退幅度創下新高,雖然自第三季起受到鎧俠半導體廠跳電因素以及日韓貿易糾紛等沖擊產出的因素讓價格有止跌跡象,但上半年營收衰退的情況讓今年的整體內存與閃存的產值較2018年衰退幅度都均達到30%以上,也因此目前各家存儲器廠商對于2020年的展望也相對保守。以內存來說明年位產出年增率僅有15-20%的幅度,而閃存的位產出年增率也僅有30-35%的低標水平,反應在明年存儲器產業的資本支出金額也持續減少,計同比減少10-15%的幅度,因此我們認為在2019年減產措施發酵以及2020產出受到節制的情況,整體存儲器供給成長有限,我們認為內存與閃存供過于求的情況自明年第二季末起將轉為供需平衡甚至出現供貨吃緊的態勢,整年度的平均銷售單價來看,內存整年度平均銷售價格跌幅將收斂至10%以內,閃存整年度平均銷售單價跌幅也有機會收斂至15%以內,整體存儲器行業產業秩序將較2019年表現更為穩定。?

中國半導體市場: 半導體供應鏈國產化加速?

中國半導體產業銷售額過去五年都繳出年成長20%以上的亮麗表現,今年受到中美貿易戰影響終端需求的影響,預計今年整體中國半導體銷售額的年成長率將滑落至10%,而隨著國際半導體供應鏈重新塑造以及中國半導體供應鏈加速國產化的轉變,自今年第二季起IC設計業者(最顯著的例子為海思半導體)的半導體制造與封測訂單有轉回本土生產跡象明顯,因此也讓晶圓代工業者如中芯、華虹等產能利用率獲得改善外,最明顯受惠的部分為封測廠商如長電科技、華天科技和通富微電業績和利潤有明顯的回升。在產業政策上,大基金第二期約2000億人民幣的募集也順利完成,本次投資的重點將著重在半導體設備包括刻蝕機臺、薄膜設備、測試設備、清洗設備等領域提供大力的支持外,也將多數掌握在外商的半導體材料板塊提供本土業者更多的資源與支持;而科創版的正式上路也提供半導體業者更多的籌資管道來充實研發資金或是并購資源。
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來源:CINNO Research
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急求TO252封裝文件 DXP

謝謝 各位   如題  
發表于 11-30 15:56 ? 286次 閱讀
急求TO252封裝文件  DXP

inffneon的 1腳接地,11腳接 12伏,2腳輸出,dip14封裝是什么集成電路?

infneon的 1腳接地,11腳接 12伏,2腳輸出,dip14封裝是什么集成電路? ...
發表于 11-27 19:01 ? 275次 閱讀
inffneon的 1腳接地,11腳接 12伏,2腳輸出,dip14封裝是什么集成電路?

如何區分高度本征和高度補償半導體?

如何區分高度本征和高度補償半導體?
發表于 11-26 15:00 ? 300次 閱讀
如何區分高度本征和高度補償半導體?

求DPAK封裝

求DPAK封裝,TO系列的封裝,謝謝各位啦~
發表于 11-13 11:21 ? 133次 閱讀
求DPAK封裝

請問cc的藍牙協議棧不是封裝好的嗎?

沒玩過藍牙,看到有網友說cc的藍牙協議棧不是封裝好的,這樣二次開發很麻煩,是嗎? 求科普        ...
發表于 11-11 15:40 ? 187次 閱讀
請問cc的藍牙協議棧不是封裝好的嗎?

電力半導體模塊有什么特點?

模塊化,按最初的定義是把兩個或兩個以上的電力半導體芯片按一定的電路結構相聯結,用RTV、彈性硅凝膠、環氧樹脂等保護材料,...
發表于 11-11 09:02 ? 427次 閱讀
電力半導體模塊有什么特點?

求TO-220-5的封裝

TO-220-5的封裝
發表于 11-09 14:38 ? 204次 閱讀
求TO-220-5的封裝

將文件復制到另一臺電腦上時,發現原先封裝好的器件,顯示沒有封裝?

用AD10繪制好原理圖以后,每個元件都進行了封裝,將文件復制到另一臺電腦上時,發現原先封裝好的器件,顯示沒有封裝? 這種情...
發表于 11-08 22:14 ? 209次 閱讀
將文件復制到另一臺電腦上時,發現原先封裝好的器件,顯示沒有封裝?

PCFFS15120AF SiC二極管 1200V 15A 裸片

5120AF 電路圖、引腳圖和封裝圖
發表于 08-05 05:02 ? 16次 閱讀
PCFFS15120AF SiC二極管 1200V 15A 裸片

ABA-53563 低噪聲寬帶硅RFIC放大器

ABA-53563是一款通用型5V硅寬帶RFIC放大器,采用工業標準SOT-363(6引腳SC70)封裝。該器件具有高增益,良好的線性度和高達3.5 GHz的扁平寬帶頻率響應。特性 在2GHz時,ABA-53563可提供21dB的增益,OIP3可達到5V / 45mA偏置時,23dBm和P1dB為13dBm。內部輸入和輸出50歐姆匹配使其易于使用,設計工作量很小,使其成為無線通信市場中頻,緩沖和通用放大器的絕佳選擇。
發表于 07-04 09:56 ? 42次 閱讀
ABA-53563 低噪聲寬帶硅RFIC放大器

MGA-31289 0.25W高增益驅動放大器

MGA-31289是一款0.25W高增益驅動放大器MMIC,適用于1.5 GHz至3.0 GHz的應用,采用SOT-89標準塑料封裝。 它是Broadcom增益模塊系列之一,具有高線性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31289是一款0.25W增益模塊解決方案,針對頻率進行了優化,可提供卓越的RF性能。此高增益0.25W增益模塊系列有2個器件。 MGA-31189適用于50 MHz至2.0 GHz的應用,而MGA-31289適用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆蓋了所有主要的蜂窩頻段 - mdash; GSM,CDMA和UMTS—加上下一代LTE頻段。 通用的封裝和PCB布局允許單一設計支持多種頻率和地域市場,并可選擇輸出功率。這些器件還具有高增益,可以減少所需的RF級總數。 特性 符合ROHS 無鹵素 低直流偏壓時的高線性度 高增益 良好的增益平坦度 低噪聲圖 產品規格的優異均勻性 SOT-89標準包裝...
發表于 07-04 09:56 ? 20次 閱讀
MGA-31289 0.25W高增益驅動放大器

MGA-30889 40MHz - 2600MHz平坦增益高線性度增益模塊

MGA-30689是寬帶,平坦增益,高線性度 通過使用Broadcom的專有0.25um GaAs增強模式pHEMT工藝實現增益模塊MMIC放大器。 該器件需要簡單的直流偏置元件才能實現寬帶寬性能。 特性 高線性度 產品規格的優異均勻性 內置溫度補償內部偏置電路 不需要 RF 匹配組件 標準 SOT89 封裝 MSL-2和無鉛無鹵素 用于基站應用的高MTTF 應用 中頻放大器,射頻驅動放大器 通用增益模塊
發表于 07-04 09:56 ? 32次 閱讀
MGA-30889 40MHz  -  2600MHz平坦增益高線性度增益模塊

MGA-82563 3V驅動器放大器,17dBm P1dB,低噪聲,0.1-6GHz,SOT363(SC-70)

MGA-82是3V器件,具有17dBm P1dB。它采用微型SOT-363封裝,專為3V驅動放大器應用而設計。偏壓:3V,84mA;增益= 13dB; NF = 2.2dB; P1dB = 17.3dBm;所有2GHz的IP3i = 14dB。
發表于 07-04 09:56 ? 48次 閱讀
MGA-82563 3V驅動器放大器,17dBm P1dB,低噪聲,0.1-6GHz,SOT363(SC-70)

MGA-31589 0.5W高增益驅動放大器

MGA-31589是一款0.5W高增益驅動放大器MMIC,適用于450 MHz至1.5 GHz的應用,采用SOT-89標準塑料封裝。 它是Broadcom增益模塊系列之一,具有高線性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 特性 符合ROHS 無鹵素 低直流偏置功率下的高線性度 高增益 低噪聲圖 高OIP3 高級增強模式PHEMT技術 產品規格的優異均勻性 SOT-89標準包
發表于 07-04 09:56 ? 22次 閱讀
MGA-31589 0.5W高增益驅動放大器

MGA-87563 3V LNA,4.5mA低電流,0.5-4GHz,SOT363(SC-70)

MGA-87是一款3V器件,在低至4.5GHz的低電流下具有低噪聲系數。它采用微型SOT-363封裝,專為3V低噪聲放大器應用而設計。偏壓:3V,4mA;增益= 14dB; NF = 1.5dB; P1dB = 0dBm; IP3i = -4均為2GHz。
發表于 07-04 09:56 ? 48次 閱讀
MGA-87563 3V LNA,4.5mA低電流,0.5-4GHz,SOT363(SC-70)

MGA-31489 高增益驅動放大器1.5GHz - 3GHz

MGA-31489是一款0.10W高增益驅動放大器MMIC,適用于1.5 GHz至3.0 GHz的應用,采用SOT-89標準塑料封裝。 它是Broadcom增益模塊系列之一,具有高線性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31489是一款0.10W增益模塊解決方案,針對頻率進行了優化,可提供卓越的RF性能。這個高增益0.10W增益模塊系列有2個器件。 MGA-31389適用于50 MHz至2.0 GHz的應用,而MGA-31489適用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆蓋了所有主要的蜂窩頻段 - mdash; GSM,CDMA和UMTS—加上下一代LTE頻段。 通用的封裝和PCB布局允許單一設計支持多種頻率和地域市場,并可選擇輸出功率。這些器件還具有高增益,可以減少所需的RF級總數。 特性 符合ROHS 無鹵素 低直流偏置電源下的高IP3 高增益,增益平坦度好 低噪聲圖 高級增強模式PHEMT技術 產品規格的優異均勻性 SOT- 89標準包...
發表于 07-04 09:56 ? 17次 閱讀
MGA-31489 高增益驅動放大器1.5GHz  -  3GHz

MGA-30116 750MHz - 1GHz 1/2瓦高線性放大器

Broadcom’ MGA-30116是一種高線性度和壓裂12; Watt PA具有良好的OIP3性能,在p1dB增益壓縮點具有極佳的PAE,通過使用Broadcom’專有的0.25um GaAs增強模式pHEMT工藝。 特性 高線性度和P1dB 在負載條件下無條件穩定 內置可調溫度補償內部偏置電路 GaAs E-pHEMT技術[1] 標準QFN 3X3封裝 5V電源 產品規格的均勻性非常好 可提供卷帶包裝選項 MSL-1和無鉛 點MTTF> 120°時的300年; C通道溫度 應用 用于GSM / CDMA基站的A類驅動放大器。 通用增益塊。...
發表于 07-04 09:56 ? 24次 閱讀
MGA-30116 750MHz  -  1GHz 1/2瓦高線性放大器

MGA-81563 0.1-6 GHz 3 V,14 dBm放大器

Broadcom的MGA-81563是一款經濟實惠,易于使用的GaAs MMIC放大器,可為應用提供出色的功率和低噪聲等特性從0.1到6 GHz。 MGA-81563采用超小型SOT-363封裝,占用SOT-143封裝的一半電路板空間,專為3V驅動放大器應用而設計。 功能 可用無鉛選項 2.0 GHz時+14.8 dBm P1dB 2.0 GHz時+17 dBm Psat 單+ 3V電源 2.8 dB噪聲系數2.0 GHz 12.4 dB增益2.0 GHz 超小型封裝 無條件穩定 應用程序 用于PCS,PHS,ISM,SATCOM和 WLL應用程序的緩沖區或驅動程序放大器 高動態范圍LNA...
發表于 07-04 09:56 ? 88次 閱讀
MGA-81563 0.1-6 GHz 3 V,14 dBm放大器

MGA-545P8 適用于5-6GHz系統的低電流22dBm中等功率放大器,適用于LPCC2x2

MGA-545P8是一款經濟實惠,易于使用的GaAs E-pHEMT MMIC中功率放大器,采用8引腳LPCC(JEDEC DFP-N)封裝,非常適合用作802.11a網卡和AP中的驅動放大器,以及5-6GHz固定無線接入的輸出放大器。雖然針對5.8GHz應用進行了優化,但該器件在1-6 GHz頻率范圍內具有出色的RF性能,功效和產品一致性。 通過簡單的輸入匹配,MGA-545P8提供飽和功率輸出為22dBm,5.8GHz時飽和增益為9.5dB,直流偏置僅需3.3V / 92mA,功率附加效率為46%。在線性模式下,該器件可為802.11a系統提供11.5dB和16dBm線性Pout的小信號增益,滿足5.6%EVM。特性 熱效封裝尺寸僅為2mm x 2mm x 0.75mm。其背面金屬化提供了出色的散熱性能以及焊料回流的可視證據。該器件的點MTTF超過300年,安裝溫度為85 o C....
發表于 07-04 09:56 ? 48次 閱讀
MGA-545P8 適用于5-6GHz系統的低電流22dBm中等功率放大器,適用于LPCC2x2

MGA-30789 2-6GHz高線性度增益模塊

MGA-30789是一個寬帶,高線性度 增益模塊MMIC放大器使用Broadcom的專有0.25um GaAs增強模式pHEMT工藝。 該器件需要簡單的直流偏置元件才能實現寬帶寬性能。 特性 高線性度 產品規格的優異均勻性 內置溫度補償內部偏置電路 不需要 RF 匹配組件 標準 SOT89 封裝 MSL-2和無鉛無鹵素 用于基站應用的高MTTF 應用 射頻驅動放大器 通用增益模塊
發表于 07-04 09:55 ? 50次 閱讀
MGA-30789 2-6GHz高線性度增益模塊

MGA-31189 0.25W高增益驅動放大器

MGA-31189是一款0.25W高增益驅動放大器MMIC,適用于50 MHz至2.0 GHz的應用,采用SOT-89標準塑料封裝。 它是Broadcom增益模塊系列之一,具有高線性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31189是一款0.25W增益模塊解決方案,針對頻率進行了優化,可提供卓越的RF性能。此高增益0.25W增益模塊系列有2個器件。 MGA-31189適用于50 MHz至2.0 GHz的應用,而MGA-31289適用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆蓋了所有主要的蜂窩頻段 - mdash; GSM,CDMA和UMTS—加上下一代LTE頻段。 通用的封裝和PCB布局允許單一設計支持多種頻率和地域市場,并可選擇輸出功率。這些器件還具有高增益,可以減少所需的RF級總數。 特性 符合ROHS 無鹵素 低直流偏置功率下的極高線性度 高增益 良好的增益平坦度 低噪聲圖 產品規格的優異均勻性 SOT-89標準包裝...
發表于 07-04 09:55 ? 42次 閱讀
MGA-31189 0.25W高增益驅動放大器

MGA-621P8 700MHz - 1.5GHz低噪聲放大器

MGA-621P8是一款經濟實惠,易于使用的GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA)器件。該器件設計用于700 MHz至1.5 GHz頻率范圍內的最佳使用,并采用微型2.0x2.0x0.75mm 3 8引腳雙扁平無引線( DFN)封裝。 特性 高線性性能 低噪聲系數 低成本小封裝尺寸 集成斷電控制引腳 應用 用于小型蜂窩基站應用的LNA 其他低噪聲射頻應用
發表于 07-04 09:55 ? 39次 閱讀
MGA-621P8 700MHz  -  1.5GHz低噪聲放大器

MGA-725M4 具有旁路開關的3V LNA,2至14dBm可調節IIP3,MiniPak封裝

MGA-725M4是一款低噪聲放大器,內置旁路開關,采用微型無引線封裝。它采用MiniPak 1412封裝,專為3V蜂窩/ PCS應用而設計,例如: CDMA手機中的LNA和驅動放大器。偏壓:3V,20mA;增益= 14.4dB; NF = 1.4dB;所有2GHz的IP3i = 9.9dBm。
發表于 07-04 09:54 ? 110次 閱讀
MGA-725M4 具有旁路開關的3V LNA,2至14dBm可調節IIP3,MiniPak封裝

ALM-32220 1.7 - 2.7GHz 2瓦高線性度放大器

Broadcom’ ALM-32220是一款高線性度2瓦功率放大器,具有良好的OIP3性能和極佳的PAE,1dB增益壓縮點,通過使用Broadcom’專有的0.25um GaAs增強模式pHEMT工藝。特性 完全匹配,輸入和輸出 高線性度和P1dB 在負載條件下無條件穩定 內置可調溫度補償內部偏置電路 GaAs E-pHEMT技術[1] 5V電源 產品規格均勻性極佳 可提供卷帶包裝選項 MSL-3和無鉛 基站應用的高MTTF 應用 用于GSM / PCS / W-的A類驅動放大器CDMA / WiMAX基站 通用增益塊...
發表于 07-04 09:54 ? 98次 閱讀
ALM-32220 1.7  -  2.7GHz 2瓦高線性度放大器

MGA-634P8 超低噪聲,高線性度低噪聲放大器

Broadcom’ MGA-634P8是一款經濟,易于使用的GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA),通過使用Broadcom專有的0.25um GaAs增強模式pHEMT工藝實現了低噪聲和高線性度。 MGA-634P8低噪聲放大器是Broadcom超低噪聲,高增益,高線性度砷化鎵(GaAs)低噪聲放大器系列的最新成員,旨在用作蜂窩基站收發器無線電的第一級LNA卡,塔頂放大器(TMA),合路器,中繼器和遠程/數字無線電頭。 MGA-634P8高線性低噪聲放大器特點: • 1500 MHz到2300 MHz操作 –同類最佳NF:0.44 dB @ 1900 MHz –高線性度:36 dBm OIP3 –高增益:17.4 dB &ndash ; 21 dBm OP1dB @ 1900 MHz •單5V電源和48mA低功耗 – 240 mW • Broadcom&rs的通用封裝和匹配網絡現狀MGA-63xP8系列 –簡化不同頻率的PCB設計和工程 功能 Ultra Low noise Figure 高線性性能 GaAs E-pHEMT技術 低成本小封裝尺寸:2.0x2.0x0.75mm 3 產品規格的優異均勻性 可提供卷帶包裝選項 應用 低噪音用于GSM,TDS-CDMA和CDMA蜂窩基礎設施的放大器 其他超低噪聲應用...
發表于 07-04 09:53 ? 52次 閱讀
MGA-634P8 超低噪聲,高線性度低噪聲放大器

ALM-2203 SDARS LNA濾波器模塊

Broadcom ALM-2203是一款微型高度集成的LNA濾波器RFIC模塊。該模塊旨在使衛星數字音頻無線電服務(SDARS)信號與現代汽車中常見的蜂窩,WiFi,藍牙和GPS信號共存。 該模塊集成了三個低噪聲放大器(LNA)采用微型5x5x0.95mm封裝的Film Bulk Acoustic Resonator(FBAR)濾波器。該模塊具有低噪聲系數,高增益和低電流消耗,非常適用于關鍵的低功耗衛星數字音頻無線電服務(SDARS)無線電系統。   功能 高級OOB P1dB,支持SDARS與蜂窩/ WiFi / GPS共存 高度集成的芯片模塊,降低BOM成本和設計時間 低噪聲系數(NF)增強SDARS接收器靈敏度 適用于帶集成蜂窩/ WiFi發射器的SDARS天線 緊湊且完全匹配的5x5x0.95mm適用于鯊魚的包裝-fin型天線     應用程序 SDARS Radio系統  ...
發表于 07-04 09:53 ? 89次 閱讀
ALM-2203 SDARS LNA濾波器模塊

MGA-86563 5V LNA,20dB高增益,0.5-6GHz,SOT363(SC-70)

MGA-86是5V部件,具有高增益和低噪聲系數。它采用微型SOT-363封裝和70 mil陶瓷封裝,專為5V低噪聲放大器應用而設計。偏壓:5V,16mA;增益= 20dB; NF = 2dB; P1dB = 6dBm; IP3i = -4dB均為2GHz。
發表于 07-04 09:53 ? 101次 閱讀
MGA-86563 5V LNA,20dB高增益,0.5-6GHz,SOT363(SC-70)

MGA-71543 帶旁路開關的3V LNA,0至9dBm可調節IIP3,SOT343(SC-70)

MGA-71543是一款內置旁路開關的低噪聲放大器。它采用微型SOT-343封裝,專為3V蜂窩/ PCS應用而設計,例如: CDMA手機中的LNA和驅動放大器。偏置3V,10mA:增益= 16dB; NF = 1.1dB;所有在2GHz時IIP3 = 4.3dB。在旁路模式下:插入損耗= 5.6dB; IIP3 = 35dBm。
發表于 07-04 09:53 ? 94次 閱讀
MGA-71543 帶旁路開關的3V LNA,0至9dBm可調節IIP3,SOT343(SC-70)
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