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SiC的市場格局及其帶來的工程挑戰

荷葉塘 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:程文智 ? 2019-10-16 10:02 ? 次閱讀
碳化硅(SiC)是近五年以來備受關注的第三代半導體,SiC功率器件的研發從1970年代就開始了,到了1980年代,SiC晶體質量和制造工藝獲得了大幅改進,90年代末,除了美國之外,歐洲和日本也開始投入資源進行研發。此后,行業開始加速發展。
到2001年英飛凌推出了第一款SiC器件------300V~600V(16A)的SiC肖特基二極管(SiC SBD),接著科銳(Cree)在2002年推出了600V~1200V(20A)的SiC肖特基二極管,主要用在開關電源控制和和電機控制中,隨后ST、羅姆、飛兆和東芝等都紛紛推出了相應的產品。而SiC晶體管(SiC JFET)和SiC MOSFET則分別在2006年和2011年才面世。
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SiC功率器件發展歷程。(資料來源:Yole,電子發燒友)

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圖1:SiC功率器件發展歷程。(資料來源:Yole,電子發燒友)
最近幾年,由于MOSFET技術開始被市場所接受,包括心理門檻和技術門檻,SiC市場開始了較快地增長。根據2019年Yole發布的SiC市場報告,2018年SiC的市場規模約為4.2億美元,該機構預計SiC市場的年復合增長率為29%,也就是說到2024年,SiC的市場規模將達19.3億美元。

SiC玩家有哪些?

集成電路的制造類似,SiC器件的生產也有IDM和Fabless模式兩種。目前主要以IDM模式為主。SiC產業鏈包括上游的襯底和外延環節、中游的器件和模塊環節,以及下游的應用環節。因此,SiC產業鏈內的玩家其實有不少,其中份額最大的當屬美國的Cree,根據Yole最新的報告,它占了整個SiC功率器件市場的62%,它具有多年的SiC襯底生產經驗,它旗下的Wolfspeed也是一家射頻和功率器件公司擁有垂直一體化的生產能力。
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SiC電力電子器件產業鏈企業。

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圖2:SiC電力電子器件產業鏈企業。(來源:長江證券)
在襯底方面,國內的天科合達歷史最為悠久,其產品已經在市場上賣了十幾年了;第二家是山東天岳,其技術源于山東大學。此外,河北同光、世紀金光、中科節能和Norstel也有相關技術。
在器件和模塊方面,目前技術最強的還是羅姆、英飛凌和Wolfspeed等國外廠商。國內的廠商技術與他們相比差距還比較大,國內主要還是做SiC肖特基二極管為主。不過好消息是,差距在縮小,也內人士認為,差距的原因主要是國內起步比較晚,研發也就做了十年左右,而國外企業的研發至少已經做了25年了。SiC技術,尤其是SiC二極管技術,不是特別復雜,只要企業愿意去做,沉下心去做,幾年后基本就可以做穩定了,但SiC MOSFET的技術要更難,要追上來需要更長的時間。像現在的泰科天潤的SiC二極管產品已經在國內賣了很多年了,也獲得了行業的一些認可。
在代工廠方面,目前SiC產業內還沒有真正的代工廠,據說也沒有有產線的企業愿意給別人代工。所以國內的SiC Fabless企業一般都是要去找臺灣的代工廠商,比如漢磊科技。國內的基本半導體就是一家Fabless的SiC企業。
這幾年,國內有不少企業新進入了SiC領域,其實要想在SiC領域活下來,也不容易。首先要有足夠的資金投入,因為它是一個高投入的行業,據業內人士透露,不說其他投資,就一個SiC制造廠的水電費,一個月也得200多萬,因此,沒有足夠的資金支持是很難堅持下去的;其次是上下游的支持情況,上游能否拿到好材料,器件在下游能否賣出去,開始可能需要自己投資,對市場有一定的掌控力。三是技術團隊很重要。
當然,國內的SiC企業有一個最大的問題,那就是上游材料不能把控,存在進不到貨的問題。現在高端的襯底和外延片基本都是需要進口的。但如果上游國內自主襯底和單晶廠商能取得突破,相信過幾年情況就能好轉了。

SiC帶來的工程挑戰

我們都知道SiC的好處是具有更低的阻抗、更高的運行頻率和更高的工作溫度。比如SiC的開關頻率一般為10KHz~10MHz,且還在發展中;其理論耐溫超過了400℃,即使受目前封裝材料所限,也能很容易做到225℃。
當然,更高的耐高溫有好處,比如無需水冷,可以把設備的尺寸做得更少。但它的這些特性其實也會帶來一些其他的工程挑戰。比如當SiC器件工作在225℃時,其他周邊器件該如何處置,要都用能耐這么高溫的器件,那成本又是一個大問題。
來自CISSOID的首席應用工程師Abel Cao曾總結了SiC功率器件的應用給工程設計帶來的挑戰。在他看來主要有五大挑戰。
一是結構設計和導熱設計。傳統工藝主要采用DCB導熱襯底、Die組合、引線鍵合、模塑填料或者灌封的方式進行結構設計,這些多數為單面散熱,雙面的效能有限;Die的空間位置,決定了散熱差異和寄生電容差異。這些都不適合SiC器件的結構和散熱設計了,SiC的高溫,需要新封裝材料和工藝。
二是雜散電感和分布電容按照目前的拓撲結構,分支太多,寄生電感太大,各個支路寄生電感不一致,熱不平衡。
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三是全程模擬和仿真。
四是可靠性設計和壽命規劃。這包括在目標環境溫度下,要求的壽命期限;高溫壽命模型;以及如何驗證的問題,因為目前民用好像還沒有175℃的試驗標準。
五是系統設計的演進能力。這包括新品的持續演進和產品概念的持續演進。

結語

SiC功率器件隨著技術的進步和市場接受度的提高,開始進入了快速成長期,這期間肯定會有不少新的進入者參與到這個市場當中,也會出現一些新的應用,希望這些新的進入者能夠耐得住寂寞,能夠給整個產業鏈賦能,共同將這個產業做大,做好。
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NLU1G86 單路2輸入異或門

NLU1G32 單路2輸入或門

2 MiniGate?是一款先進的高速CMOS 2輸入或門,占用空間極小。無論電源電壓如何,當施加高達7.0伏的電壓時,NLU1G32輸入和輸出結構都能提供保護。 特性 高速:t PD = 3.7 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 斷電保護提供輸入 輸入時提供斷電保護 過壓容差(OVT)輸入和輸出引腳 超小型無鉛封裝 應用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NLU1G32 單路2輸入或門

NLSX4378A 電平轉換器 4位 24 Mbps 雙電源

78A是一款4位可配置雙電源雙向自動感應轉換器,不需要方向控制引腳。 V CC I / O和V L I / O端口設計用于跟蹤兩個不同的電源軌,V CC 和V L 。 V CC 電源軌可配置為1.65V至5.5V,而V L 電源軌可配置為1.65V至5.5V。這允許V L 側的電壓邏輯信號在V CC 側轉換為更低,更高或相等值的電壓邏輯信號,反之亦然。 NLSX4378A轉換器在I / O線上集成了10K歐姆上拉電阻。集成的上拉電阻用于將I / O線上拉至V L 或V CC 。 NLSX4378非常適合開漏應用,例如I 2 C通信總線。 特性 優勢 寬VCC工作范圍:1.65V至5.5V 寬VL工作范圍:1.65V至5.5V 允許連接多個電壓系統 高速,24 Mb / s保證數據速率 最大限度地減少系統延遲 低位偏移 適合差異信號傳輸 小型包裝 - 2.02 x 1.54mm uBump12 節省物理空間解決方案 應用 終端產 I2C,SMBus,PMBus 低壓ASIC級別轉換 手機,PDA,相機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NLSX4378A 電平轉換器 4位 24 Mbps 雙電源

NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s雙電源電平轉換器

01是一款1位可配置雙電源雙向自適應傳感轉換器,不需要方向控制引腳.I / O VCC和I / O VL端口分別用于跟蹤兩個不同的電源軌,VCC和VL 。 VCC和VLsupply軌道均可配置為1.5 V至5.5 V.這樣,VL側的電壓邏輯信號可在VCC側轉換為更低,更高的等值電壓邏輯信號,反之亦然.NLSX4401轉換器已集成I / O線上有10 k上拉電阻。集成的上拉電阻用于將I / O線上拉至VL或VCC。 NLSX4401非常適合開放式應用,如I2C通信總線。 特性 VL可以小于,大于或等于VCC 寬VCC工作范圍:1.5 V至5.5 V 寬VL工作范圍:1.5 V至5.5 V 高速,24 Mb / s保證日期速率 低位偏斜 啟用輸入和I / O引腳是過壓容差(OVT)以使能輸入和I / O引腳是過壓容差(OVT)至5.5 V 非優先通電排序 斷電保護 應用 終端產品 I2C,SMBus,PMBus 低壓ASIC級別轉換 手機,相機,消費品 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s雙電源電平轉換器

NLU1GT125 單個非反相緩沖器 3態

125 MiniGate?是一款先進的CMOS高速非反相緩沖器,占用空間極小。 NLU1GT125要求將3狀態控制輸入()設置為高,以將輸出置于高阻態。器件輸入與TTL型輸入閾值兼容,輸出具有完整的5.0 V CMOS電平輸出擺幅。無論電源電壓如何,當施加高達7.0伏的電壓時,NLU1GT125輸入和輸出結構都能提供保護。 特性 高速:t PD = 3.8 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容輸入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 輸入時提供斷電保護 平衡傳播延遲 超小無鉛封裝 應用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-01 17:02 ? 14次 閱讀
NLU1GT125 單個非反相緩沖器 3態

常用的開關器件有哪些?

目前,在中、小型變頻調速器中用得最多的是功率晶體管,為了提高放大倍數,常做成達林頓管,一般電路圖中仍....
發表于 08-01 08:56 ? 619次 閱讀
常用的開關器件有哪些?

FSA839 低壓 帶關斷隔功能的0.8Ω單刀雙擲(SPDT)模擬開關

是高性能的單刀雙擲(SPDT)模擬開關,用于由低電壓(1.8V)基帶處理器或ASIC驅動的音頻應用。該器件在V CC = 4.5 V時具有0.8Ω(最大值)的超低R ON ,可在1.65V到5.5V的寬V CC 范圍內工作。該器件采用亞微米CMOS FSA839在低電壓ASIC和常規的音頻放大器之間連接,CODEC在高達5.5V的工作電壓范圍內運行。控制電路允許控制引腳(Sel)上提供1.8V(典型值)信號。 應用 多媒體平板電腦 存儲和外設 手機 WLAN網卡和寬帶接入 PMP / MP3播放器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-01 01:02 ? 25次 閱讀
FSA839 低壓 帶關斷隔功能的0.8Ω單刀雙擲(SPDT)模擬開關

NXH240B120H3Q1 功率集成模塊(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升壓 80 A IGBT和20 A SiC二極管

B120H3Q1PG是一款3通道1200 V IGBT + SiC Boost模塊。每個通道包括一個快速開關80 A IGBT,一個20 A SiC二極管,一個旁路二極管和一個IGBT保護二極管。該模塊具有內置熱敏電阻并具有壓配銷。 特性 優勢 1200 V快速開關IGBT 降低IGBT的開關損耗可實現更高的fsw和更緊湊的設計 1200 SiC二極管 降低二極管的開關損耗可實現更高的fsw和更緊湊的設計 低Vf旁路二極管 提高旁路模式的效率 壓合銷 無焊接安裝 應用 終端產品 太陽能逆變器升壓階段 分散式公用事業規模太陽能逆變器 商業串式逆變器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 08:02 ? 19次 閱讀
NXH240B120H3Q1 功率集成模塊(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升壓 80 A IGBT和20 A SiC二極管

NXH80B120H2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二極管

120H2Q0SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個雙升壓級,由兩個40A / 1200V IGBT,兩個15A / 1200V SiC二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器規格:VF = 1.4 V 用于高速切換的SiC二極管 可焊接引腳 輕松安裝 雙升壓40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模塊 熱敏電阻 應用 終端產品 太陽能逆變器升壓階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 08:02 ? 12次 閱讀
NXH80B120H2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二極管

NXH100B120H3Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二極管

B120H3Q0是一款功率集成模塊(PIM),包含一個雙升壓級,由兩個50A / 1200V IGBT,兩個20A / 1200V SiC二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器規格:VF = 1.44 V 用于高速開關的SiC二極管 焊針和壓合銷選項 靈活安裝 應用 終端產品 MPPT提升階段 Bat tery Charger Boost Stage 太陽能逆變器 儲能系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 07:02 ? 12次 閱讀
NXH100B120H3Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二極管

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升壓模塊

一種快速,可靠的的安裝方式。 特性 高效率 低傳導損耗和開關損耗 高速場截止IGBT SiC SBD用作升壓二極管 內置NTC可實現溫度監控 電路圖、引腳圖和封裝圖
發表于 07-31 04:02 ? 16次 閱讀
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升壓模塊

安森美半導體在功率SiC市場的現狀與未來

安森美半導體(ON Semiconductor)是功率電子領域的市場領導者之一,在SiC功率器件領域....
的頭像 寬禁帶半導體技術創新聯盟 發表于 07-30 15:40 ? 2211次 閱讀
安森美半導體在功率SiC市場的現狀與未來

晶閘管和IGBT有什么區別?

SCR的開關時間較長,所以頻率不能太高,一般在3-5KHZ左右;IGBT的開關頻率較高。IGBT模塊....
發表于 07-30 10:09 ? 1564次 閱讀
晶閘管和IGBT有什么區別?

NCP566 LDO穩壓器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬態響應

低壓差(LDO)線性穩壓器將在固定輸出電壓下提供1.5 A電流。快速環路響應和低壓差使該穩壓器非常適用于低電壓和良好負載瞬態響應非常重要的應用。器件保護包括電流限制,短路保護和熱關斷。 NCP566采用SOT-223封裝。 特性 超快速瞬態響應(
發表于 07-30 08:02 ? 14次 閱讀
NCP566 LDO穩壓器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬態響應

NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC轉換器 采用耐熱增強型5mm x 6mm封裝

4是一款30A POL,適用于在小型電路板占板面積內要求高效率的應用。該器件將DC / DC控制器與兩個高效mosfet集成在一個采用熱增強型5mm x 6mm QFN封裝的信號中。它采用獲得專利的增強型斜坡脈沖調制控制架構,可提供超快的負載瞬變,從而減少外部電容和/或提供更好的瞬態容差。與傳統的恒定時間控制器相比,新架構還改進了負載調節。 特性 優勢 效率高 減少電力損失 快速裝載瞬態 減少輸出電容的數量 頻率選擇 優化效率和輸出濾波器尺寸的權衡 0.6%準確參考 允許非常精確的輸出電壓 遠程感知 提供準確的輸出電壓 啟用輸入和電力良好指標 二手用于控制排序 可調節電流限制 低電流設計的靈活性 可調節軟啟動 允許控制開啟坡道 熱增強型QFN封裝 改善散熱 指定-40C至125C 應用 終端產品 服務器 網絡 電信 ASICs servere 存儲 網絡 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-30 04:02 ? 57次 閱讀
NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC轉換器 采用耐熱增強型5mm x 6mm封裝

NCP3233 降壓轉換器工作電壓范圍為3V至21V 最高可達20A

3是一款20A降壓轉換器(內置MOSFET),工作電壓范圍為3V至21V,無需外部偏置。該固定式變頻器具有高效率,可調節輸出以提供低至0.6V的電壓。可調電流限制允許器件用于多個電流水平。該器件采用耐熱增強型6mm x 6mm QFN封裝,高效電壓模式同步降壓轉換器,工作電壓為3 V至21 V,輸出電壓低至0.6 V,最高25 A DC負載或30 A瞬時負載。 特性 優勢 寬輸入電壓范圍為3V至21V 允許同一器件用于3.3V,5V和12V母線 300kHz,500kHz和1MHz開關頻率 用戶可選擇的選項,允許在效率和解決方案尺寸之間進行優化權衡 無損耗低側FET電流檢測 提高效率 0.6V內部參考電壓 低壓輸出以適應低壓核心 外部可編程軟啟動 降低浪涌電流并防止啟動時出現無根據的過電流 預偏置啟動 防止反向電流流動 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情況消除,則允許重新啟動 可調輸出電壓 靈活性 可調節電流限制 優化過流條件。允許較低飽和電流的較小電感器用于較低電流應用 輸出過壓保護和欠壓電壓保護 應用 終端產品 高電流POL應用 AS...
發表于 07-30 04:02 ? 88次 閱讀
NCP3233 降壓轉換器工作電壓范圍為3V至21V 最高可達20A

NCP3231A 高電流同步降壓轉換器

1A是一款高電流,高效率電壓模式同步降壓轉換器,工作電壓為4.5 V至18 V,輸出電壓低至0.6 V,最高可達25 A. 特性 優勢 寬輸入電壓范圍4.5V至18V 支持廣泛的應用 500KHz開關頻率 需要小電感和少量輸出電容 無損耗低端FET電流檢測 良好的散熱性能 0.6V內部參考電壓 外部可編程軟啟動 輸出o電壓和欠壓保護 使用熱敏電阻或傳感器通過OTS引腳進行系統過熱保護 所有故障的打嗝模式操作 預偏置啟動 可調節輸出電壓 電源良好指示燈 內部過熱保護 應用 終端產品 采用6x6 QFN封裝的25A穩壓器 ASIC,FPGA,DSP和CPU內核及I / O電源 移動電話基站 電信和網絡設備 服務器和存儲系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-30 04:02 ? 49次 閱讀
NCP3231A 高電流同步降壓轉換器

NCP3231B 高電流 1MHz 同步降壓轉換器

1B是一款高電流,高效率電壓模式同步降壓轉換器,工作電壓為4.5 V至18 V,輸出電壓低至0.6 V,最高可達25 A. 特性 優勢 寬輸入電壓范圍4.5V至18V 支持廣泛的應用 1MHz開關頻率 需要小電感和少量輸出電容 無損耗低端FET電流檢測 良好的散熱性能 0.6V內部參考電壓 外部可編程軟啟動 輸出ove r電壓和欠壓保護 使用熱敏電阻或傳感器通過OTS引腳進行系統過熱保護 所有故障的打嗝模式操作 預偏置啟動 可調節輸出電壓 電源良好指示燈 內部過熱保護 應用 終端產品 采用6x6 QFN封裝的25A穩壓器 ASIC,FPGA,DSP和CPU內核及I / O電源 移動電話基站 電信和網絡設備 服務器和存儲系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP3231B 高電流 1MHz 同步降壓轉換器

NCP3231 高電流同步降壓轉換器

1是一款高電流,高效率電壓模式同步降壓轉換器,工作電壓為4.5 V至18 V,輸出電壓低至0.6 V,最高25 A DC負載或30 A瞬時負載。 特性 優勢 寬輸入電壓范圍4.5V至18V 支持廣泛的應用 500KHz開關頻率 需要小電感和少量輸出電容 無損耗低 - 側FET電流檢測 提高效率 0.6V內部參考電壓 外部可編程軟啟動 輸出過壓保護和欠壓保護 使用熱敏電阻或傳感器進行系統過熱保護 所有故障的打嗝模式操作 預偏置啟動 可調節輸出電壓 電力良好輸出 內部過熱保護 應用 終端產品 采用6x6 QFN封裝的25A穩壓器 ASIC,FPGA,DSP和CPU內核及I / O電源 移動電話基站 電信和網絡設備 服務器和存儲系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-30 03:02 ? 32次 閱讀
NCP3231 高電流同步降壓轉換器

NCP1592 同步降壓穩壓器 PWM 6.0 A 集成FET

2是一款低輸入電壓,6 A同步降壓轉換器,集成了30mΩ高側和低側MOSFET。 NCP1592專為空間敏感和高效應用而設計。主要特性包括:高性能電壓誤差放大器,欠壓鎖定電路,防止啟動直到輸入電壓達到3 V,內部或外部可編程軟啟動電路,以限制浪涌電流,以及電源良好的輸出監控信號。 NCP1592采用耐熱增強型28引腳TSSOP封裝。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET開關,可在6 A連續輸出源或接收器處實現高效率電流 可調節輸出電壓低至0.891 V,準確度為1.0% 寬PWM頻率:固定350 kHz,550 kHz或可調280 kHz至700 kHz 應用 終端產品 低壓,高密度分布式電源系統 FPGA 微處理器 ASICs 便攜式計算機/筆記本電腦 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-30 03:02 ? 51次 閱讀
NCP1592 同步降壓穩壓器 PWM 6.0 A 集成FET

NCP3230 DC / DC轉換器 4.5 V至18 V 30 A.

C轉換器采用耐熱增強型6mm x 6mm QFN封裝,可提供高達30 A的電流。 特性 優勢 效率高 降低功耗并減少散熱問題 4.5 V至18 V輸入范圍 允許使用5 V或12 V母線進行操作 綜合mosfets 簡化設計并提高可靠性 可調節軟啟動時序,輸出電壓 設計靈活性 過壓,欠壓和過流保護 安全啟動到預偏置輸出 應用 終端產品 高電流POL應用 為asics,fpga和DSP供電 基站 服務器和存儲 網絡 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-30 03:02 ? 32次 閱讀
NCP3230 DC / DC轉換器 4.5 V至18 V 30 A.

NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC轉換器

5是一款帶內部MOSFET的15 A DC / DC轉換器,設計靈活。該器件可提供低至0.6V至輸入電壓80%以上的可調輸出電壓。功能包括可調電流限制,輸出電壓和軟啟動時序。引腳可選功能可實現550 kHz或1 MHz的開關頻率,選擇DCM / CCM工作模式,以及在過流期間鎖定或打嗝模式的能力。該器件可配置為在超聲模式下工作,以避開音頻帶。該器件采用耐熱增強型6mm x 6mm TQFN封裝。 特性 優勢 準確0.6 V參考 可調輸出以設置所需電壓低至0.6 V DCM / CCM可選擇選項 在不連續模式下操作以在輕負載下提高效率 550kHz / 1.1MHz開關頻率 選擇更高效率或更小輸出濾波器的設計靈活性 超聲波模式 保持電容器不發出聲音 熱增強型QFN封裝 3個裸露焊盤散布更高 4.5 V至21 V的寬工作范圍 允許跨多個應用程序使用 可調軟啟動 允許在通電期間平穩上升 應用 終端產品 計算/服務器 數據通信/網絡 FGPA,ASIC,DSP電源 12 V負載點 桌面 服務器 網絡 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC轉換器
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