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2018年全球半導體材料銷售額519.4億美元,創歷史新高

2019年04月06日 07:23 ? 次閱讀
SEMI Materials Market Data Subscription公布全球半導體材料市場在2018年增長10.6%,推動半導體材料銷售額達到519.4億美元,超過2011年471億美元的歷史高位。
根據WSTS(World Semiconductor Trade StaTIsTIcs)的數據,芯片市場2017年創紀錄達到了4122億美元,2018年創下歷史新高4688億美元。?
2018年晶圓制造材料和封裝材料的銷售額分別為322億美元和197*億美元,同比增長率分別為15.9%和3.0%。
全球半導體材料市場在2018年增長10.6%,推動半導體材料銷售額達到519.4億美元,超過2011年471億美元的歷史高位。
圖1:不同國家或地區的半導體材料銷售額及增長率。
臺灣憑借其龐大的代工廠和先進的封裝基地,以114億美元連續第九年成為半導體材料的最大消費地區。韓國排名第二,中國大陸排名第三。韓國,歐洲,中國臺灣和中國大陸的材料市場銷售額增長最為強勁,而北美,世界其他地區(ROW)和日本市場則實現了個位數的增長。(ROW地區被定義為新加坡,馬來西亞,菲律賓,東南亞其他地區和較小的全球市場。)

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HMC-ABH209 中等功率放大器芯片,55 ...

HMC-AUH320 中等功率放大器芯片,71 ...

和特點 增益: 16 dB (76 GHz) P1dB: +15 dBm 電源電壓: +4V 50 Ω匹配輸入/輸出 裸片尺寸: 2.20 x 0.87 x 0.1 mm 產品詳情 HMC-AUH320是一款高動態范圍的四級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,在71至86 GHz的頻率下工作。 HMC-AUH320在74 GHz頻率下提供16 dB的增益,在1 dB壓縮點提供+15 dBm的輸出功率,采用+4V電源電壓。 所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化,放大器器件已完全鈍化以實現可靠操作。 HMC-AUH320 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器可兼容常規的芯片貼裝方法,以及熱壓縮和熱超聲線焊,非常適合MCM和混合微電路應用。 此處顯示的所有數據均是芯片在50 Ohm環境下使用RF探頭接觸測得。 應用 短程/高容量鏈路 無線LAN網橋 汽車雷達 軍事和太空 E波段通信系統 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:15 ? 0次閱讀
HMC-AUH320 中等功率放大器芯片,71 ...

HMC562 寬帶驅動放大器芯片,2 - 35 ...

和特點 P1dB輸出功率: +12 dBm 增益: 12.5 dB 輸出IP3: +19 dBm 電源電壓: +8V (80 mA) 50 Ω匹配輸入/輸出 裸片尺寸:3.12 x 1.42 x 0.1 mm 產品詳情 HMC562是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驅動放大器裸片,在2至35 GHz的頻率下工作。 該放大器提供12.5 dB增益,+27 dBm輸出IP3和12 dBm輸出功率(1 dB增益壓縮),功耗為80 mA(采用+8V電源)。 HMC562非常適合EW、ECM和雷達驅動放大器應用。 HMC562放大器I/O是隔直的,內部匹配50 Ω阻抗,方便集成到多芯片模塊(MCM)。 所有數據均由通過最短0.31mm (12 mil)的兩條0.075mm (3 mil)線焊帶連接的芯片獲取。應用 軍事和太空 測試儀器儀表 光纖產品 方框圖...

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HMC562 寬帶驅動放大器芯片,2 - 35 ...

HMC442LM1 中等功率放大器,采用SMT封...

和特點 飽和功率: +23 dBm (27% PAE) 增益: 14 dB 電源電壓: +5V 50 Ω匹配輸入/輸出 產品詳情 HMC442LM1是一款寬帶17.5至24 GHz GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用SMT無引腳芯片載體封裝。 LM1采用真正的表貼寬帶毫米波封裝,提供低損耗和出色的I/O匹配,并保持MMIC芯片性能。 該放大器提供14 dB增益,飽和功率為+23 dBm(27% PAE時),電源電壓為+5V。 50 Ω匹配放大器在RF輸入和輸出端上集成隔直,非常適合用作線性增益模塊、發射鏈驅動器或HMC SMT混頻器LO驅動器。 作為芯片和電線混合組件的替代器件,HMC442LM1無需線焊,從而為客戶提供一致的接口。 應用 點對點無線電 點對多點無線電 VSAT方框圖...

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HMC442LM1 中等功率放大器,采用SMT封...

HMC498LC4 中等功率放大器,采用SMT封...

和特點 輸出IP3: +36 dBm 飽和功率: +26 dBm (23% PAE) 增益: 22 dB +5V(250 mA)電源 50 Ω匹配輸入/輸出 符合RoHS標準的4x4 mm SMT封裝 產品詳情 HMC498LC4是一款高動態范圍GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用無引腳“無鉛”SMT封裝。 該放大器具有17至24 GHz的工作范圍,提供22 dB增益、+26 dBm飽和功率和23% PAE(+5V電源電壓)。 HMC498LC4噪聲系數為4 dB,輸出IP3為+36 dBm(典型值),可用作低噪聲前端以及驅動放大器。 隔直RF I/O匹配至50 Ω,使用方便。 HMC498LC4無需線焊,可以使用表貼制造技術。 應用 點對點無線電 點對多點無線電和VSAT 測試設備和傳感器 軍用最終用途 方框圖...

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HMC498LC4 中等功率放大器,采用SMT封...

HMC-ALH376 低噪聲放大器芯片,35 -...

和特點 噪聲系數: 2 dB 增益: 16 dB (40 GHz) P1dB輸出功率: +6 dBm 電源電壓: +4V (87 mA) 裸片尺寸: 2.7 x 1.44 x 0.1 mm 產品詳情 HMC-ALH376是一款GaAs MMIC HEMT三級、自偏置、低噪聲放大器芯片,工作頻率范圍為35至45 GHz。該放大器提供16 dB增益、2 dB噪聲系數和+6 dBm輸出功率(1 dB增益壓縮),采用+4V單電源時功耗僅為87 mA。由于尺寸較小(3.9 mm2),這款自偏置LNA適合集成到混合組件或多芯片模塊(MCM)中。 應用 點對點無線電 點對多點無線電 測試設備和傳感器 軍事和太空 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:14 ? 0次閱讀
HMC-ALH376 低噪聲放大器芯片,35 -...

HMC374 低噪聲放大器,采用SMT封裝,0....

和特點 單電源: Vdd = +2.75V至+5.5V 低噪聲系數: 1.5 dB 高輸出IP3: +37 dBm 無需外部匹配 產品詳情 HMC374(E)是一款通用寬頻帶低噪聲放大器(LNA),用于0.3至3.0 GHz頻率范圍。 采用+2.75V至5.5V單正電源時,LNA提供15 dB增益,1.5 dB噪聲系數。 該器件具有低噪聲系數、高P1dB (22 dBm)和高OIP3 (37 dBm),非常適合蜂窩應用。 緊湊型LNA設計采用針對可重復增益和噪聲系數性能的片內匹配。 為了使板面積最小,設計采用低成本SOT26封裝,占用面積僅為0.118” x 0.118”。應用 蜂窩/PCS/3G WCS, MMDS 和ISM? 固定無線和WLAN 專用陸地移動無線電 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:14 ? 8次閱讀
HMC374 低噪聲放大器,采用SMT封裝,0....

HMC519-DIE GaAs pHEMT MM...

和特點 噪聲系數: 2.8 dB 增益: 15 dB OIP3: 23 dBm 單電源: +3V (65 mA) 50 Ω匹配輸入/輸出 裸片尺寸: 2.27 x 1.32 x 0.1 mm 產品詳情 HMC519是一款高動態范圍GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器芯片,工作頻率范圍為18至32 GHz。 HMC519提供15 dB小信號增益、2.8 dB噪聲系數及高于23 dBm的輸出IP3。 由于尺寸較小,該芯片可輕松集成到混合組件或多芯片模塊(MCM)中。 所有數據均采用50 ohm測試夾具中的芯片測得,該夾具通過直徑為0.075 mm (3 mil)、最小長度0.31 mm (12 mil)的焊線連接。 也可用兩根直徑為0.025mm (1 mil)的焊線進行RFIN和RFOUT連接。 應用 點對點無線電 點對多點無線電和VSAT 測試設備和傳感器 軍事和太空 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:14 ? 25次閱讀
HMC519-DIE GaAs pHEMT MM...

HMC442LC3B 中等功率放大器,采用SMT...

和特點 增益: 13 dB 飽和功率: +23 dBm (26% PAE) 電源電壓: +5V 50 Ω匹配輸入/輸出 符合RoHS標準的3x3 mm SMT封裝 產品詳情 符合RoHS標準的3x3 mm SMT封裝 應用 點對點無線電 點對多點無線電 HMC混頻器LO驅動器 軍用EW和ECM 方框圖

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HMC442LC3B 中等功率放大器,采用SMT...

HMC-ALH508 低噪聲放大器芯片,71 -...

和特點 噪聲系數: <5 dB P1dB: +7 dBm 增益: 13 dB 電源電壓: +2.4V 50 Ω匹配輸入/輸出 裸片尺寸: 3.2 x 1.6 x 0.1 mm 產品詳情 HMC-ALH508是一款三級GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器(LNA),工作頻率范圍為71至86 GHz。 HMC-ALH508具有13 dB小信號增益、4.5 dB噪聲系數和+7 dBm輸出功率(1 dB壓縮),分別采用2.1V和2.4V兩個電源電壓。 所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化,放大器已完全鈍化以實現可靠操作。 這款多功能LNA兼容傳統的芯片貼裝方式以及熱壓縮和熱超聲線焊工藝,非常適合MCM和混合微電路應用。 此處顯示的所有數據均是芯片在50 Ω環境下使用RF探頭接觸測得。 應用 短程/高容量鏈路 無線局域網(LAN) 汽車雷達 軍事和太空 E波段通信系統 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:13 ? 0次閱讀
HMC-ALH508 低噪聲放大器芯片,71 -...

HMC508 采用SMT封裝的VCO,具有Fo/...

和特點 雙路輸出:Fo = 7.3 - 8.2 GHz Fo/2 = 3.65 - 4.1 GHz Pout: +15 dBm 相位噪聲:典型值為-116 dBc/Hz(100 kHz) 無需外部諧振器 QFN無引腳SMT封裝,25 mm2 產品詳情 HMC508LP5(E)是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。HMC508LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變容二極管,可輸出半頻。 由于振蕩器的單芯片結構,VCO的相位噪聲性能在溫度、沖擊和工藝條件下均非常出色。 采用+5V電源時,輸出功率為+15 dBm(典型值)。 該電壓控制振蕩器采用無引腳QFN 5x5 mm表貼封裝,無需外部匹配元件。應用 VSAT無線電 ? 點對點/多點無線電 ? 測試設備和工業控制? 軍事最終用途 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:13 ? 0次閱讀
HMC508 采用SMT封裝的VCO,具有Fo/...

HMC589A InGaP HBT增益模塊放大器...

和特點 P1dB輸出功率: +21 dBm 增益: 21 dB 輸出IP3: +33 dBm 單電源: +5V 業界標準SOT89封裝 產品詳情 HMC589AST89E是一款InGaP HBT增益模塊MMIC SMT放大器,工作頻率范圍為DC至4 GHz,采用業界標準SOT89E封裝。該放大器可用作可級聯50 ? RF或IF增益級以及LO或PA驅動器,輸出功率高達+19 dBm P1dB,適合蜂窩/3G、FWA、CATV、微波無線電和測試設備應用。HMC589AST89E提供20 dB增益,+33 dBm輸出IP3 (1 GHz),同時在單正電源下功耗僅為82 mA。HMC589AST89E InGaP HBT增益模塊提供出色的輸出功率和溫度增益穩定性。應用 蜂窩/PCS/3G 固定無線和WLAN 有線電視、電纜調制解調器和數字廣播衛星 微波無線電和測試設備 IF和RF應用 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:13 ? 12次閱讀
HMC589A InGaP HBT增益模塊放大器...

HMC530 采用SMT封裝的VCO,具有Fo/...

和特點 三路輸出: Fo= 9.5 - 10.8 GHz Fo/2= 4.75 - 5.4 GHz Fo/4= 2.38 - 2.7 GHz Pout: +11 dBm 相位噪聲: 典型值為-110 dBc/Hz(100 kHz) 無需外部諧振器 QFN無引腳SMT封裝,25 mm2 產品詳情 HMC530LP5(E)是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC530LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變容二極管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于振蕩器的單芯片結構,VCO的相位噪聲性能在溫度、沖擊和工藝條件下尤為出色。 采用+5V電源電壓時,輸出功率為+11 dBm(典型值)。 如果不需要,可以禁用預分頻器和RF/2功能以節省電流。 該電壓控制振蕩器采用無引腳QFN 5x5 mm表貼封裝,無需外部匹配元件。應用 點對點無線電? 點對多點無線電 測試設備和工業控制? 衛星通信 軍事最終用途 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:13 ? 0次閱讀
HMC530 采用SMT封裝的VCO,具有Fo/...

HMC509 采用SMT封裝的VCO,具有Fo/...

和特點 雙路輸出:Fo = 7.8 - 8.8 GHz Fo/2 = 3.9 - 4.4 GHz Pout: +13 dBm 相位噪聲: 典型值為-115 dBc/Hz(100 kHz)。 無需外部諧振器 QFN無引腳SMT封裝,25 mm2 產品詳情 HMC509LP5(E)是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC509LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變容二極管,可輸出半頻。 由于振蕩器的單芯片結構,VCO的相位噪聲性能在溫度、沖擊和工藝條件下均非常出色。 采用+5V電源時,輸出功率為+13 dBm(典型值)。 該電壓控制振蕩器采用無引腳QFN 5x5 mm表貼封裝,無需外部匹配元件。應用 VSAT 無線電? 點對點/多點無線電 ? 測試設備和工業控制? 軍事最終用途 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:12 ? 28次閱讀
HMC509 采用SMT封裝的VCO,具有Fo/...

AD847 高速、低功耗、單芯片運算放大器

和特點 出眾的性能高單位增益帶寬:50 MHz低電源電流:5.3 mA高壓擺率:300 V/μs出色的視頻特性驅動任何容性負載快速的0.1%建立時間(10 V步進):65 ns出色的直流性能5.5 V/mV高開環增益(PLOAD = 1 kΩ)低輸入失調電壓:0.5 mV額定工作電壓:±5 V和±15 V提供多種選擇塑料DIP和SOIC封裝Cerdip封裝裸片形式MIL-STD-883B工藝卷帶和卷盤(EIA-481A標準)提供雙通道版本:AD827(8引腳)LM6361的增強替代產品 產品詳情 AD847代表高速放大器的一個突破,實現了低成本、低功耗的出眾交流和直流性能。出色的直流性能表現在它±5 V的規格值,包括3500 V/V的開環增益(500Ω負載)和0.5 mV的低輸入失調電壓。共模抑制最低為78 dB。輸出電壓擺幅為±3 V(負載低至150Ω)。ADI公司還提供其他超過30種高速放大器,從低噪聲AD829(1.7nV/√Hz)到終極的視頻放大器AD811(差分增益0.01%,差分相位0.01°)。 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:12 ? 0次閱讀
AD847 高速、低功耗、單芯片運算放大器

LT1782 采用 SOT-23 封裝的微功率、...

和特點 可在輸入高于 V+ 的條件下運作 軌至軌輸入和輸出 微功率:55μA 電源電流 (最大值) 工作電壓范圍:-40°C 至 125°C 扁平 (高度僅 1mm) ThinSOT? 封裝 低輸入失調電壓:800μV (最大值) 單電源輸入范圍:0V 至 18V 高輸出電流:18mA (最小值) 技術規格針對 3V、5V 和 ±5V 電源而擬訂 在 6 引腳版本上提供輸出停機功能 反向電池保護至 18V 高電壓增益:1500V/mV 增益帶寬乘積:200kHz 轉換速率:0.07V/μs ? 產品詳情 LT?1782 是一款采用小外形 SOT-23 封裝的 200kHz 運放,可采用全單電源和分離電源工作 (總電壓為 2.5V 至 18V)。該放大器吸收的靜態電流少于 55μA,并具有反向電池保護功能,在高達 18V 的反向電源電壓條件下,其吸收電流可忽略不計。 LT1782 的輸入范圍包括地電位,而且,該器件的一項獨特功能是其 Over-The-Top? 操作能力 (在其任一輸入或兩個輸入均高于正電源軌的情況下)。輸入能夠處理 18V 的差分和共模電壓,這與電源電壓無關。輸入級具有反相保護電路,用于防止產生誤輸出 (即使當輸入比負電源低 9V 時也不例外)。 LT1782 能夠驅動高達 18mA 的負載,而且仍然保持了軌至軌輸入和...

發表于 2019-02-22 12:10 ? 16次閱讀
LT1782 采用 SOT-23 封裝的微功率、...

LT1880 SOT-23 封裝、軌至軌輸出、微...

和特點 失調電壓:150μV (最大值) 輸入偏置電流:900pA (最大值)? 失調電壓漂移:1.2μV/oC (最大值) 軌至軌輸出擺幅 采用單電源或分離電源工作 開環電壓增益:1,000,000 (最小值) 1.2mA 電源電流 轉換速率:0.4V/μs 增益帶寬:1.1MHz 低噪聲:13nV/√Hz (在 1kHz) 扁平 (高度僅 1mm) ThinSOT? 封裝 ? 產品詳情 LT?1880 運算放大器在采用 SOT-23 封裝的情況下提供了高準確度輸入性能和軌至軌輸出擺幅。輸入失調電壓被修整至低于 150μV,而且低漂移性能在整個工作溫度范圍內保持了這種準確度。輸入偏置電流超低,最大值僅為 900pA。 該放大器可以采用任何總電源電壓位于 2.7V 至 36V 之間的工作電源 (其技術規格針對 5V 至 ±15V 的電源范圍進行了全面擬訂)。輸出電壓擺動至負電源的 55mV 以內和正電源的 250mV 以內,從而使得這款放大器成為低電壓單電源操作的上佳選擇。 0.4V/μs 的轉換速率和一個 1.2mA 的電源電流在低功率精準放大器中提供了超群的響應和穩定時間性能。 LT1880 采用 5 引腳 SOT-23 封裝。Applications 熱電偶放大器 橋式換能器調理器 儀表放大器 電池供電型系統 光電流放大器? 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:10 ? 14次閱讀
LT1880 SOT-23 封裝、軌至軌輸出、微...

HMC536MS8G 3 W SPDT T/R開...

和特點 輸入P0.1dB: +34 dBm (+5V) 插入損耗: 0.5 dB 正控制電壓: +3V或+5V MS8G SMT封裝,14.8 mm2 隔離: 27 dB 較快的開關速度 產品詳情 HMC536MS8G(E)是一款DC至6 GHz GaAs MMIC T/R開關,采用8引腳MSOP8G表貼封裝,帶有裸露接地焊盤。 該開關非常適合蜂窩/PCS/3G基站應用,具有0.5 dB的低插入損耗和+55 dBm的輸入IP3。 該開關在6 GHz上提供出色的功率處理性能,并且P0.1dB壓縮點為+29 dBm(+3V控制電壓)。 片內電路可在很低的DC電流下實現0/+3 V或0/+5 V的正電壓控制。 應用 蜂窩/PCS/3G基礎設施 ISM/MMDS/WiMAX? CATV/CMTS? 測試儀器儀表 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:08 ? 34次閱讀
HMC536MS8G 3 W SPDT T/R開...

HMC536LP2 3W SPDT T/R開關,...

和特點 輸入P0.1dB: +33 dBm (+5V) 插入損耗: 0.6 dB 正控制電壓: +3V或+5V 隔離: 27 dB 2x2 mm無引腳DFNSMT封裝,4 mm2 產品詳情 HMC536LP2(E)是一款DC至6 GHz GaAs MMIC T/R開關,采用無引腳2x2 mm DFN LP2表貼封裝,帶有裸露接地焊盤。 該開關非常適合蜂窩、WiMAX和WiBro接入點和用戶應用,具有0.6 dB的低插入損耗和+54 dBm的高輸入IP3。 該開關在6 GHz上提供出色的功率處理性能,并且P0.1dB壓縮點分別為+29 dBm (+3V)和+33 dBm(+5V控制電壓)。 片內電路可在很低的DC電流下實現0/+3V或0/+5V的正電壓控制。 HMC536LP2(E)占用面積僅為4 mm2,非常適合需要小尺寸的應用。 應用 蜂窩/PCS/3G基礎設施 WiMAX、WiBro和固定無線 CATV/CMTS? 測試儀器儀表 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:08 ? 19次閱讀
HMC536LP2 3W SPDT T/R開關,...

HMC-ALH216 低噪聲放大器芯片,14 -...

和特點 噪聲系數: 2.5 dB (20 GHz) 增益: 18 dB P1dB輸出功率: +14 dBm 電源電壓: +4V (90 mA) 裸片尺寸: 2.25 x 1.58 x 0.1 mm 產品詳情 HMC-ALH216是一款GaAs MMIC HEMT寬帶低噪聲放大器芯片,工作頻率范圍為14至27 GHz。該放大器提供18 dB增益、2.5 dB噪聲系數和+14 dBm輸出功率(1 dB增益壓縮),采用+4V電源電壓時功耗僅為90 mA。由于尺寸較小,HMC-ALH216放大器適合集成到多芯片模塊(MCM)中。應用 點對點無線電 點對多點無線電 軍事和太空 測試儀器儀表 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:08 ? 0次閱讀
HMC-ALH216 低噪聲放大器芯片,14 -...

HMC396 InGaP HBT增益模塊放大器芯...

和特點 增益: 12 dB P1dB輸出功率: +14 dBm 穩定的溫度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 產品詳情 HMC396芯片是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT)增益模塊MMIC DC至8 GHz放大器。 此款放大器可用作級聯50 Ohm增益級或用于驅動輸出功率高達+16 dBm的HMC混頻器LO。 HMC396提供12 dB的增益,+30 dBm的輸出IP3,同時僅需+5V電源提供56 mA電流。 所用的達林頓反饋對可降低對正常工藝變化的敏感度,提供出色的溫度增益穩定性,只需極少的外部偏置元件。 由于尺寸較小(0.22mm2),HMC396可輕松集成到多芯片模塊(MCM)中。 所有數據均采用50 ?測試夾具中的芯片測得,該夾具通過直徑為0.025mm (1 mil)、最小長度為0.5mm (20 mils)的焊線連接。 應用 微波和VSAT無線電 測試設備 軍用EW、ECM、C3I 空間電信方框圖...

發表于 2019-02-22 12:07 ? 30次閱讀
HMC396 InGaP HBT增益模塊放大器芯...

HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 ...

和特點 輸出IP3: +31 dBm P1dB: +22 dBm 增益: 20 dB (20 GHz) 電源電壓: +4.5V 50 Ω匹配輸入/輸出 裸片尺寸: 3.3 x 1.95 x 0.1 mm 產品詳情 HMC-APH196是一款兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作頻率范圍為17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益,采用+4.5V電源電壓時具有+22 dBm輸出功率(1 dB壓縮)。 所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化,放大器已完全鈍化以實現可靠操作。 HMC-APH196 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容傳統的芯片貼裝方式,以及熱壓縮和熱超聲線焊工藝,非常適合MCM和混合微電路應用。 此處顯示的所有數據均是芯片在50 Ω環境下使用RF探頭接觸測得。 應用 點對點無線電 點對多點無線電 VSAT 軍事和太空 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:07 ? 0次閱讀
HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 ...

HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 ...

和特點 輸出IP3: +25 dBm P1dB: +17 dBm 增益: 24 dB 電源電壓: +5V 50 Ω匹配輸入/輸出 裸片尺寸: 3.2 x 1.42 x 0.1 mm 產品詳情 THMC-ABH241是一款四級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作頻率范圍為50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益,采用+5V電源電壓時具有+17 dBm輸出功率(1dB壓縮)。 所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化,放大器已完全鈍化以實現可靠操作。 HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容傳統的芯片貼裝方式,以及熱壓縮和熱超聲線焊工藝,非常適合MCM和混合微電路應用。 此處顯示的所有數據均是芯片在50 Ω環境下使用RF探頭接觸測得。 應用 短程/高容量鏈路 無線LAN網橋 軍事和太空 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:07 ? 0次閱讀
HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 ...

HMC-MDB277 DBL-BAL混頻器芯片,...

和特點 寬IF帶寬: DC - 18 GHz 無源雙平衡拓撲結構 LO輸入功率: +14 dBm 裸片尺寸: 1.55 x 1.4 x 0.1 mm 產品詳情 HMC-MDB277是一款無源雙平衡MMIC混頻器,采用GaAs異質結雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術,可用作上變頻器或下變頻器。 所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化,Shottky器件已完全鈍化以實現可靠操作。 HMC-MDB277雙平衡混頻器可兼容常規的芯片貼裝方法,以及熱壓縮和熱超聲線焊,非常適合MCM和混合微電路應用。 這款緊湊型MMIC可以取代混合型雙平衡式混頻器,而且體積要小得多,性能更加穩定。 此處顯示的所有數據均是芯片在50 Ohm環境下使用RF探頭接觸測得。 應用 短程/高容量無線電 FCC E波段通信系統 汽車雷達 傳感器 測試和測量設備 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:07 ? 25次閱讀
HMC-MDB277 DBL-BAL混頻器芯片,...

ADM691A 微處理器電源監控器,內置備用電池...

和特點 低功耗 精密電壓監控器 ADM800L/M容差:±2% 復位時間延遲:200 ms或可調 待機電流:1 μA 備用電池電源自動切換 芯片使能信號快速片內選通 同時提供TSSOP封裝(ADM691A)產品詳情 ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M系列監控電路均為完整的單芯片解決方案,可實現微處理器系統中的電源監控和電池控制功能。這些功能包括微處理器復位、備用電池切換、看門狗定時器、CMOS RAM寫保護和電源故障警告。該系列產品是MAX691A/93A/800M系列的升級產品。所有器件均提供16引腳DIP和SO封裝。ADM691A同時提供節省空間的TSSOP封裝。主要提供下列功能:啟動、關斷和掉電情況下的上電復位輸出。即使VCC低至1 V,電路仍然可以工作。CMOS RAM、CMOS微處理器或其它低功耗邏輯的備用電池切換。如果可選的看門狗定時器在指定時間內未切換,則提供復位脈沖。1.25 V閾值檢波器,用于電源故障警告、低電池電量檢測或+5 V以外電源的監控。 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:06 ? 0次閱讀
ADM691A 微處理器電源監控器,內置備用電池...

HMC564LC4 低噪聲放大器,采用SMT封裝...

和特點 噪聲系數: 1.8 dB 增益: 17 dB OIP3: 25 dBm 單電源: +3V (51 mA) 50 Ω匹配輸入/輸出 符合RoHS標準的4x4 mm封裝 產品詳情 HMC564LC4是一款高動態范圍GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器,采用符合RoHS標準的無引腳4x4mm SMT封裝。 HMC564LC4工作頻率范圍為7至14 GHz,在整個工作頻段內具有出色的平坦性能,包括17 dB小信號增益、1.8 dB噪聲系數和+25 dBm輸出IP3。 由于一致的輸出功率、采用+3V電源供電和隔直RF I/O,該自偏置LNA非常適合微波無線電應用。 Applications 應用 點對點無線電 點對多點無線電和VSAT 測試設備和傳感器 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:06 ? 34次閱讀
HMC564LC4 低噪聲放大器,采用SMT封裝...

LTC6908 具擴頻調制功能、采用電阻器設定頻...

和特點 LTC6908-1:互補輸出 (0°/180°) LTC6908-2:正交輸出 (0°/90°) 工作頻率范圍:50kHz至10MHz 一個外部電阻可設置頻率 用于改善EMC性能的可選擴頻頻率調制 ±10% 擴頻 電源電流:400μA(典型值,V+ = 5V,50kHz) 頻率誤差:≤1.5%(最大值,TA = 25°C,V+ = 3V) 溫度穩定性:±40ppm/°C 快速啟動時間:260μs(典型值,1MHz) 輸出靜音直至穩定 采用2.7V至5.5V單電源供電 提供薄型(1mm) ThinSOT和DFN (2mm × 3mm)封裝 產品詳情 LTC6908是一款易于使用的精密振蕩器,提供具有180°或90°偏移的兩個輸出。該振蕩器頻率通過單個外部電阻(RSET)進行編程,且擴頻頻率調制(SSFM)被激活以改善電磁兼容性(EMC)性能。 LTC6908采用2.7V至5.5V單電源供電,提供軌到軌、50%占空比方波輸出。10k至2M單個電阻用于選擇50kHz至10MHz(5V電源)的振蕩器頻率。該振蕩器可以使用下面列出的簡單公式輕松進行編程:fOUT = 100MHz?10k/ RSETLTC6908的SSFM能力通過隨機噪聲(PRN)信號調制輸出頻率,以降低峰值電磁輻射水平并改善EMC性能。擴頻量固定為中心頻率的10%左右。使能SSFM時,調制速...

發表于 2019-02-22 12:05 ? 31次閱讀
LTC6908 具擴頻調制功能、采用電阻器設定頻...

HMC870 MZ光學調制器驅動器,采用SMT封...

和特點 寬電源電壓范圍:3.3V至7V 可調輸出幅度: 2.5 - 8Vp-p 低加性RMS抖動,<300fs 低直流功耗:1W(Vout = 8Vp-p,Vdd = 7V) 交叉點調節 32引腳5x5mm SMT封裝: 25mm2 產品詳情 HMC870LC5是一款GaAs MMIC pHEMT分布式驅動器放大器,采用無引腳5x5 mm表貼封裝,工作頻率范圍為DC至20 GHz。 該放大器提供17 dB增益、8 Vp-p飽和輸出擺幅,并具有輸出擺幅交叉點調節功能。 增益平坦度在±0.5 dB時極為出色,且在10 Gbps工作速率下具有300 fs的極低加性RMS抖動。 HMC870LC5為城際和遠程設計人員提供針對不同輸出驅動要求的可擴展功耗特性。 (Vout = 3.6Vp-p時<0.4W,Vout = 8.5Vp-p時<1W)。HMC870LC5的電源(Vdd)工作范圍極寬,為+3.3V至+7V,且RF I/O內部匹配至50 Ω。 應用 10 Gbps NRZ MZ和低壓調制器驅動器 10 Gbps RZ傳輸 40 Gbps DQPSK 用于測試與測量設備的寬帶增益模塊 軍事和太空 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:03 ? 30次閱讀
HMC870 MZ光學調制器驅動器,采用SMT封...

HMC871 EA光學調制器驅動器,采用SMT封...

和特點 寬電源電壓范圍:5V至8V 高達4Vp-p的可調輸出幅度 低加性RMS抖動,<300fs 低直流功耗:0.25W(Vout = 2.5Vp-p,Vdd = 5V) 交叉點調節 32引腳5x5mm SMT封裝: 25mm2產品詳情 HMC871LC5是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驅動器放大器,采用無引腳5x5mm表貼封裝。 該放大器工作頻率范圍為DC至20 GHz,提供15 dB增益。 輸出擺幅交叉點可調節,飽和輸出擺幅為4Vp-p。增益平坦度在0.5 dB時極為出色,且在10 Gbps工作速率下具有300 fs的極低加性RMS抖動。 HMC871LC5為VSR和千兆以太網設計人員提供針對不同輸出驅動要求的可擴展功耗特性(Vout = 2.5Vp-p時<0.25W,Vout = 4Vp-p時<0.6W)。 HMC871LC5的電源(Vdd)工作范圍極寬,為+5V至+8V,且I/O內部匹配至50 Ω。 應用 SONET OC-192和SDH-STM-64傳輸系統 10 GbE發射機 10 Gbps VSR模塊 用于40 Gbps DQPSK模塊的前置驅動器 用于測試與測量設備的寬帶增益模塊 方框圖...

發表于 2019-02-22 12:02 ? 26次閱讀
HMC871 EA光學調制器驅動器,采用SMT封...

MAT14 匹配單芯片四通道晶體管

和特點 低失調電壓:400 μV(最大值) 高電流增益:300(最小值) 出色的電流增益匹配度:4%(最大值) 低電壓噪聲密度(100 Hz、1 mA):3 nV/√Hz(最大值) 出色的對數一致性:體電阻 rBE = 0.6 Ω (最大值) 所有晶體管保證匹配產品詳情 MAT14是一款四通道單芯片NPN型晶體管,具有出色的參數匹配性能,適合精密放大器和非線性電路應用。MAT14的性能特征包括:在很寬的集電極電流范圍內提供高增益(最小300)、低噪聲(在100 Hz、IC = 1 mA條件下最大值為3 nV/√Hz)以及出色的對數一致性。失調電壓典型值低至100 μV,精密電流增益匹配度可達4%以內。MAT14的每個晶體管均經過獨立測試,符合數據手冊性能規格。為使參數匹配(失調電壓、輸入失調電流和增益匹配),雙晶體管組合中的每個晶體管均經過驗證,達到了規定的限制要求。在25°C的環境溫度和工業溫度范圍內保證器件性能。匹配參數的長度穩定性由各晶體管基極-發射極結上的保護二極管保證。這些二極管能夠防止反向偏置基極-發射極電流導致β和匹配特性下降。MAT14的出色對數一致性和精確匹配特性使它非常適合用于對數和反對數電路。MAT14是需要低噪聲和高增益的應用的理想選...

發表于 2019-02-22 12:01 ? 32次閱讀
MAT14 匹配單芯片四通道晶體管
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